
		Пресс-релизы / Сентябрь 2005

RSS-лента

Новости

Пресс-релизы

Поиск по компаниям


Расширенный поиск
Обзоры сети

Архив пресс-релизов

2002 г

2003 г

2004 г

2005 г

янв	фев	мар	апр
май	июн	июл	авг
сен	окт	ноя	дек
сентябрь

2006 г

2007 г

2008 г

2009 г

2010 г

2011 г

2012 г

2013 г

Пресс-релизы

21 сентября 2005 г

Корпорация Intel разрабатывает производственный процесс для продукции со сверхнизким энергопотреблением

Корпорация Intel разрабатывает на основе высокоэффективной 65-нанометровой технологии производственный процесс для решений со сверхнизким энергопотреблением, который позволит создавать экономичные процессоры для мобильных платформ и компактных устройств.

Усовершенствование 65-нанометровой производственной технологии Intel позволит продлить срок автономной работы мобильных устройств.

Производственный процесс для продукции со сверхнизким энергопотреблением станет вторым процессом корпорации Intel с применением 65-нанометровой технологии.

Решения, созданные по высокопроизводительной 65-нанометровой технологии Intel, превосходят ныне используемый корпорацией передовой 90-нанометровый производственный процесс и по производительности, и по энергопотреблению. 65-нанометровая технология со сверхнизким энергопотреблением предоставит инженерам Intel дополнительные возможности для более плотного размещения компонентов, повышения производительности и снижения энергопотребления, в чем так нуждаются пользователи устройств, работающих от аккумуляторов.

«Пользователи предпочитают мобильные платформы, обладающие более длительным сроком автономной работы, и наш новый производственный процесс позволит значительно улучшить этот показатель, — заявил Мули Иден (Mooly Eden),

вице-президент и генеральный менеджер отделения Mobile Platforms Group корпорации Intel. — В будущих мобильных платформах Intel мы постараемся в максимально возможной степени воплотить все преимущества обоих передовых 65-нанометровых процессов».

Одним из факторов, способствующих снижению энергопотребления процессоров, является оптимизация структуры транзистора. Утечки электричества из микроскопических транзисторов, происходящие даже тогда, когда транзистор находится в закрытом состоянии, досаждают целой отрасли.

«Число транзисторов, интегрируемых в некоторые микросхемы, уже превышает один миллиард, и никто из нас не сомневается в том, что оптимизация, выполненная на уровне отдельных транзисторов, может вылиться в огромные преимущества на уровне целой системы, — говорит Марк Бор (Mark Bohr), старший заслуженный инженер-изобретатель корпорации Intel, директор отделения Process Architecture and Integration. — Тестовые микросхемы, изготовленные нами с использованием 65-нанометровой производственной технологии Intel со сверхнизким энергопотреблением, показали, что благодаря ей утечка электричества снижается примерно в тысячу раз в сравнении с нашим стандартным процессом. Это позволит нам создавать устройства, потребляющие значительно меньше энергии».

65-нанометровая производственная технология Intel для решений со сверхнизким энергопотреблением

65-нанометровая технология Intel со сверхнизким энергопотреблением включает в себя несколько важных изменений, которые позволят производить экономичные электронные компоненты, обладающие ведущими для отрасли показателями производительности. Эти изменения значительно сокращают три основных вида утечки носителей заряда в транзисторах: субпороговую утечку, утечку через переходы и утечку через оксидный слой затвора, — что снижает энергопотребление и продлевает срок автономной работы систем.

О 65-нанометровой производственной технологии Intel

65-нанометровые производственные процессы Intel представляют собой сочетание высокопроизводительных экономичных транзисторов, технологии напряженного кремния второго поколения, восьми уровней высокоскоростных медных межсоединений и диэлектрического материала с низким коэффициентом k. Использование 65-нанометровых производственных процессов позволит корпорации Intel размещать на кристалле процессора вдвое больше транзисторов в сравнении с нынешней 90-нанометровой технологией.

65-нанометровые технологии Intel позволят также создавать транзисторы с размером затвора 35 нм, которые станут самыми миниатюрными и высокопроизводительными транзисторами CMOS, производимыми в массовых масштабах. Для сравнения: самые совершенные современные транзисторы, интегрированные в процессоры Intel® Pentium® 4, имеют затвор размером 50 нм. Возможность создания миниатюрных и быстрых транзисторов — главное условие разработки и производства высокопроизводительных процессоров.

Кроме того, корпорация Intel интегрировала в 65-нанометровые производственные процессы высокопроизводительную технологию изготовления напряженного кремния второго поколения. Эта технология позволяет ускорить движение электронов и, как следствие, повысить быстродействие транзисторов. При этом стоимость производства возрастает всего лишь на 2 процента.

версия для печати