
		Новости / Продукты / Корпоративное оборудование

RSS-лента

Новости

Пресс-релизы

Поиск по компаниям


Расширенный поиск
Обзоры сети

Архив новостей

2002 г

2003 г

2004 г

2005 г

2006 г

2007 г

2008 г

2009 г

2010 г

2011 г

2012 г

2013 г

янв	фев	мар	апр
май	июн	июл	авг
сен	окт	ноя	дек
август

Array ( [sqlTableName] => news [bgColor1] => #FFFFFF [bgColor2] => #F4F8FF [sqlDbName] => SCMS [rus_alphabet] => Array ( [0] => А [1] => Б [2] => В [3] => Г [4] => Д [5] => Е [6] => Ж [7] => З [8] => И [9] => Й [10] => К [11] => Л [12] => М [13] => Н [14] => О [15] => П [16] => Р [17] => С [18] => Т [19] => У [20] => Ф [21] => Х [22] => Ц [23] => Ч [24] => Ш [25] => Щ [26] => Э [27] => Ю [28] => Я ) [ukr_alphabet] => Array ( [0] => І [1] => Є [2] => Ї ) [companies_per_pages] => 100 [meta_keywords] => новости каталог компаний пресс-релизы события выставки [meta_description] => [sqlWhere] => status='A' and id=29617 [sqlOrder] => id desc [sqlLimit] => 0,1 [advert_left] => [template] => /usr/local/apache/newware/templates/news_id.tmpl [template_rubric] => /usr/local/apache/newware/templates/js_menu/menu.tmpl [id] => 29617 [rubrick_pid] => 220108 )

Новости

9 августа 2013 г

Чипы флеш-памяти Samsung с архитектурой 3D Vertical NAND

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства трехмерных чипов NAND-памяти с архитектурой Vertical NAND, V-NAND). Благодаря увеличению производительности, чипы 3D V-NAND смогут использоваться в широком спектре устройств потребительской электроники и корпоративных приложениях, в том числе во встраиваемой NAND-памяти и SSD-накопителях.

Новые модули памяти V-NAND имеют плотность записи 128 Гб каждый. В них используется структура вертикальных ячеек на базе технологии 3D Charge Trap Flash (CTF), когда данные хранятся в специальной изолированной области ячейки; а также технология вертикальных связей, пронизывающих весь 3D-массив ячеек. С применением обеих этих технологий чипы флеш-памяти 3D V-NAND могут обеспечить в два раза большую масштабируемость по сравнению с двумерными чипами памяти NAND 20-нм класса.

Инженеры компании разработали технологии вертикальной компоновки плоских слоев ячеек в новую 3D-структуру. Благодаря этому, надежность и скорость записи модулей NAND-памяти значительно возросли. А технология вертикальных связей позволяет вертикально соединять между собой до 24 слоев ячеек с использованием специальной технологии травления, скрепляя слои электронным путем пробивки отверстий с самого высокого слоя до дна.

Благодаря новой вертикальной структуре Samsung может производить флеш-память NAND с более высокой плотностью путем увеличения количества 3D-слоев ячеек без необходимости продолжать двухмерное масштабирование, которого стало невероятно трудно достичь.

версия для печати