Производители DRAM переходят на более совершенные техпроцессы, чтобы снизить себестоимость чипов

По мере того, как производители DRAM все активнее переходят на более совершенные технологические процессы, конкуренция в этой сфере неизбежно приведет к общему значительному падению в 2010 году себестоимости выпуска микросхем компьютерной памяти. Так считают источники среди тайваньских производителей DRAM.

В частности, отмечают источники, Samsung Electronics перешла на выпуск более чем половины чипов DRAM по техпроцессу 56 нм, а также начала в IV квартале в небольших количествах производить микросхемы DDR3 с использованием 40-нанометровой технологии. При этом крупнейший в мире чипмейкер рассчитывает, что техпроцесс 40 нм станет у него основным уже во второй половине следующего года. Samsung полагает, что благодаря этому нововведению она сумеет значительно повысить показатель рентабельность производства.

Elpida Memory в настоящее время внедряет усовершенствованную версию для своего техпроцесса 65 нм (так называемый Extra 65 нм), а в 2010 году перейдет на 40-нанометровый класс, указали источники. Согласно их данным, благодаря изменениям в производство DRAM, японская компания сможет получать на 20 % больше чипов при работе с 300-мм пластиной.

В свою очередь Nanya Technology и Inotera Memories наращивают объемы выпуска продукции по техпроцессу 50 нм. Массовое производство на базе этого технологического процесса компании, как и планировалось ранее, должны начать в I квартале 2010 года.