Intel и Micron создали 3bpc NAND

Intel и Micron Technology сообщили о разработке новой технологии производства флеш-памяти NAND на базе многоуровневой структуры ячеек (MLC), при которой каждая ячейка способна хранить три бита данных.

Новая технология, получившая название 3bpc NAND, основана на 34-нанометровом технологическом процессе производства и предназначена для изготовления микросхем памяти, которые применяются в различных устройствах хранения данных — например, картах памяти или твердотельных накопителях (SSD).

Согласно сообщению полупроводникового гиганта, технология 3bpc NAND была разработана и запущена в производство совместным предприятием Intel и Micron Technology — IM Flash Technologies (IMFT). Благодаря возможности осуществлять запись в каждую ячейку NAND-памяти трех битов, удалось добиться рекордного повышения эффективности затрат на производство 32-гигабитных чипов. Кроме того, выпускаемые на базе данной технологии чипы являются самыми миниатюрными на рынке: они занимают площадь 126 кв. мм. В настоящее время IMFT поставляет образцы новых микросхем для тестирования. Массовое производство намечено на IV квартал 2009 года.