13 августа 2002 г.

В следующем году компания Intel переведет на выпуск микросхем по 90-нанометровому процессу три завода, работающих с 300-миллиметровыми пластинами.

    Переход на 90-нанометровую технологию сопровождается целым списком технологических достижений. В частности, в их число вошла технология "напряженного кремния" (strained silicon), которая позволяет увеличить расстояние между атомами кремния и повысить тем самым подвижность носителей заряда (как электронов, так и дырок), что эквивалентно ускорению работы транзисторов. По мнению Intel, использование этого метода приведет к улучшению рабочих характеристик чипов на 10–20 % при росте затрат на производство всего в 2 %.

    "Напряженный кремний" будет применяться при выпуске чипов по 90-нанометровому технологическому процессу с использованием транзисторов, имеющих длину затвора всего 50 нм. Другая новинка – семь уровней медных соединений, использующих, к тому же, новый диэлектрик – легированный углеродом оксид кремния (CDO), уменьшающий на 18 % по сравнению с предшественником межэлектродную емкость и, как следствие, повышающей скорость распространения сигналов при снижении энергопотребления.

    По планам Intel, массовое производство новых продуктов начнется во второй половине 2003 года – вначале на заводах в Орегоне, а затем в Ирландии. Одним из первых серийных компонентов, производимых по новой технологии, станет процессор под кодовым названием Prescott, основанный на микроархитектуре Intel NetBurst и планируемый к выпуску во второй половине 2003 года.

    При переходе к 90-нанометровой технологии компания сможет использовать 75 % оборудования, которое сегодня применяется при выпуске чипов по 0,13-микронному процессу. Подробности представленных технологий – в наших публикациях на этой неделе.