31 марта 2004 г.

Компания Ramtron анонсировала, по ее словам, первое в мире мегабитное энергонезависимое запоминающее устройство FRAM.

    Выпущенные по 0,35-микронному технологическому процессу микросхемы FRAM емкостью 1 Мб имеют скорость доступа 55 наносекунд.

    Емкость 1 Мб √ значительный прорыв для технологии FRAM. Напомним, что предыдущий рекорд Ramtron по емкости промышленных образцов этой памяти составлял 256 Кб.

    Первые образцы мегабитных FRAM появятся уже этим летом, а масштабное производство начнется еще через три месяца. Ramtron считает, что ферроэлектрическая память имеет все шансы составить серьезную конкуренцию микросхемам SRAM, а в перспективе и DRAM.