12 июня 2003 г.

На симпозиуме VLSI компания AMD представила свои достижения в транзисторных технологиях.

    К переходу на 65-нанометровый технологический процесс специалисты AMD готовят разработки, повышающие быстродействие транзисторов. На конференции по СБИС-технологиям VLSI Symposium был представлен новый транзистор, изготовленный с использованием технологии "полностью обедненного кремния на изоляторе" и металлическим затвором из силицида никеля. Как заявили разработчики, такая комбинация обеспечила прирост быстродействия 30 % в сравнении с лучшими существующими p-канальными МОП-транзисторами.

    Затвор из силицида никеля повысил быстродействие и транзисторов на "напряженном кремнии". По результатам тестов AMD, прирост производительности таких транзисторов составил 20-25 %.