15 апреля 2002 г.

Энергонезависимая память нового типа, над созданием которой работают американские ученые, в перспективе может послужить заменой транзисторной DRAM.

    В основе исследований, которые ведут специалисты Техасского центра сверхпроводимости и передовых материалов при Хьюстонском университете, лежит использование тонкопленочных элементов с электрически переключаемым сопротивлением. Объединив тысячи таких элементов в одном чипе, ученые надеются создать энергонезависимую резистивную память, которая будет работать быстрее, чем обычная DRAM, и позволит сохранить данные при отключении питания.

    Новую технологию уже лицензировала компания Sharp, которая планирует представить созданные с ее применением микросхемы через три года. Представители Sharp заявляют, что эти чипы будут дешевле в производстве, чем обычные микросхемы памяти.