Новости

20 сентября 2007 г

В Пенсильвании разрабатывают phase-change память, которая будет быстрее флэш-носителей в 1000 раз

Не секрет, что в ближайшем (скором) будущем на смену популярной флэш-памяти придет новая, более совершенная технология. Вопрос только в том, что за технология унаследует "трон" флэш-носителей и когда именно это случится.

Исследователи из Университета Пенсильвании (University of Pennsylvania) показали свое видение возможного развития перспектив в этой области. Группа профессора Ритеша Агарваля (Ritesh Agarwal) на факультете материаловедения (Materials Science & Engineering) разработала вариант памяти с изменением фазового состояния. Это новая технология, основанная на самоорганизующихся нанопроводниках с применением теллурида германия и сурьмы — материала с изменяемым состоянием, способным переходить из аморфного состояния структур в кристаллическое и обратно. Именно это и обеспечивает саму возможность операций чтения и записи такой технологически прогрессивной и совершенной памяти.

Вышеуказанные нанопроводники имеют размеры порядка 100 атомов в диаметре. Они имеют свойство произвольно самособираться. Это процесс, при котором химические реагенты кристаллизуются при низкой температуре и служат связующим звеном для металлических частиц наномасштаба, образуя таким образом нанопроводники. Последние характеризуются диаметром в 30-50 нм и вытягиваются на 10 мкм в длину.

Первые тесты памяти группы Агарваля показали, что процессы чтения, записи протекают за время, равное 50 нс (!), что, собственно, и означает то, что такая память будет, примерно в 1000 раз быстрее флэш-памяти. При этом также достигнуто значительное уменьшение энергопотребления — для записи 1 бита данных нужно порядка 0,7 мВт. Жизненный цикл такой памяти, как сообщается, тоже гораздо длиннее, чем у флэш-памяти и составляет внушительные 100 тыс. лет.

На фоне всех достоинств и плюсов столь многообещающей технологии является ее очень нескорая коммерциализация, по крайней мере, для массового потребителя. В свободной продаже память с изменением фазового состояния поступит не раньше, чем через 8-10 лет.

Источник: www.ixbt.com

версия для печати

SMS

Сообщите коллегам о последних новостях, пресс-релизах и сведениях из Каталога компаний через наш SMS-гейт.

Смотрите также

18 октября 2013 г

 • Fujifilm XQ1: компактная камера Х-серии
 • Обновление Kaspersky Security для SharePoint Server
 • Fujifilm X-E2: эволюция легендарной X-E1
 • UserGate Web Filter с глубоким анализом контента

17 октября 2013 г

 • Обрано оператора домену .УКР
 • Android-троянец скрывается от антивирусов, используя очередную уязвимость
 • Розетка, которая всегда под рукой
 • "Яндекс" выяснил, что украинцы ищут о свадьбе
 • Седьмая версия продуктов ESET NOD32 Antivirus и ESET Smart Security
 • МТС снижает стоимость мобильного Интернета в роуминге
 • Ультратонкий внешний накопитель ADATA Dash Drive Elite SE720
 • Объективы Sony с байонетом E для полнокадровой матрицы

16 октября 2013 г

 • Philips открывает путь к хирургии для Google Glass
 • Нові зміни в складі членів ІнАУ
 • Киевстар приглашает студентов на стажировку
 • «Лаборатория Касперского» совершенствует защиту для мобильных устройств
 • Autodesk приобретает технологии Graitec по проектированию конструкций

15 октября 2013 г

 • Mio Technology заключила договор с компанией «Навигатор»
 • Horizon – платформа браузерных расширений для операторов мобильной связи
 • В Харькове открылся крупнейший датацентр в Восточной Украине «Onehostpower»