
		Пресс-релизы / Июнь 2005

RSS-лента

Новости

Пресс-релизы

Поиск по компаниям


Расширенный поиск
Обзоры сети

Архив пресс-релизов

2002 г

2003 г

2004 г

2005 г

янв	фев	мар	апр
май	июн	июл	авг
сен	окт	ноя	дек
июнь

2006 г

2007 г

2008 г

2009 г

2010 г

2011 г

2012 г

2013 г

Пресс-релизы

22 июня 2005 г

Вице-президент Intel Ананд Чандрасехер передал первые экспонаты для будущей экспозиции Intel в Музей высоких технологий киевского гипермаркета City.Com

В рамках своего рабочего визита в Киев, Ананд Чандрасехер, вице-президент и руководитель подразделения Sales and Marketing Group корпорации Intel, передал первые экспонаты для будущей экспозиции Intel в Музей высоких технологий, открытый ранее в этом году в киевском гипермаркете электроники City.Com. Ими стали 200- и 300-миллиметровые кремниевые подложки, используемые для производства микросхем на заводах Intel.

С самого начала своей деятельности корпорация Intel (была основана в 1968 году и в 1971 г. выпустила первый в мире микропроцессор) сделала ставку на применение передовых технологий производства микросхем. Сегодня Intel имеет самые современные заводы по выпуску полупроводниковой продукции в индустрии. Управление и планирование всей производственной деятельностью Intel осуществляется подразделением Technology and Manufacturing Group. Во всем мире Intel имеет 10 заводов, на которых производится в среднем по 15-20 видов продукции.

Три из четырех заводов Intel по производству 300-мм подложек расположены в США в городах Хиллсборо, штат Орегон (D1C и D1D) и Рио-Ранчо, штат Нью-Мехико (Fab 11X). В прошлом году была введена в эксплуатацию новая поточная линия по производству 300-мм подложек на основе 90-нм технологического процесса в Ирландии (город Лейкслип, завод под названием Fab 24). Общая стоимость каждого нового производства составляет примерно 2 млрд долларов.

Использование в производстве 300-мм подложек позволяет Intel выпускать в 2,5 раза больше процессоров в расчете на одну подложку (по сравнению с 200-мм подложками). К тому же Fab 24 - третий по счету завод, где выпускаются микросхемы с проектной нормой 90 нанометров (нм), т.е. размером в одну тысячную толщины человеческого волоса.

300-мм подложки позволяют сократить производственные затраты, включая расходы на производство отдельных компонентов, на 30%. Кроме того, новая технология производства требует на 40% меньше используемой энергии и воды для выпуска одной микросхемы, чем технологии предыдущих поколений. Технология производства с проектной нормой 90 нм позволяет удвоить количество транзисторов на одной микросхеме.

К концу прошедшего года почти 80% процессоров, поставляемых корпорацией Intel, были произведены с использованием 300-миллиметровой, 90-нанометровой производственной технологии. Корпорация также добилась большого прогресса в развитии 65-нанометровой производственной технологии и начала установку оборудования на своем заводе Fab 12 в Аризоне. Это уже пятый завод корпорации, который будет выпускать продукцию по 300-миллиметровой производственной технологии. Планируется, что производство процессоров по 65-нанометровому технологическому процессу начнется в конце 2005 года, а их серийный выпуск – в 2006 году.

За последние шесть лет расходы Intel на модернизацию и расширение производства составили около 32 миллиардов долларов. В этом году, как ожидается, капитальные затраты составят 4,9 - 5,3 млрд долларов. Прежде всего, это связано с вложениями в 300-миллиметровое и 65-нанометровое производственное оборудование, которое позволит наладить выпуск недорогих двухъядерных процессоров и другой продукции.

Закон Мура – в основе технологической революции, способствующей удовлетворению потребностей пользователей

В апреле 1965 года основатель корпорации Intel Гордон Мур увидел будущее. Его прогноз, теперь известный всему миру как закон Мура, гласит, что число транзисторов на микросхеме будет удваиваться каждые два года. Это наблюдение об интеграции полупроводниковых технологий, воплощенное в реальность корпорацией Intel, легло в основу всемирной технической революции.

Спустя сорок лет после публикации статьи Мура в журнале Electronics Magazine его теория по-прежнему составляет основу развития полупроводниковой индустрии. Благодаря ее воплощению в жизнь стоимость электронных устройств постоянно снижается, и постоянно появляются новые достижения в полупроводниковой индустрии.

С самого начала своей деятельности корпорация Intel разрабатывала полупроводниковые решения в соответствии с законом Мура, используя дополнительные транзисторы для расширения функциональности и постоянного совершенствовавния своей продукции. Сегодня корпорация Intel намерена применить принципы закона Мура к разработке инновационных платформ, благодаря его выполнению начато производство двухъядерных и станет возможным выпуск многоядерных процессоров в будущем. Инвестиции корпорации Intel в исследовательскую деятельность и разработку инновационных полупроводниковых технологий способствуют революционным открытиям, благодаря которым корпорация Intel сможет и дальше обеспечить выполнение закона Мура, создавая все более удивительные технологии.

Платформенный подход: интегрированные технологии улучшают методы работы

Технологии постоянно развиваются с целью удовлетворения новых требований клиентов в меняющейся обстановке. Закон Мура продолжает выполняться, и со временем открываются все новые его преимущества. Сейчас основным вопросом стало не столько увеличение числа транзисторов, сколько то, как и насколько эффективно эти транзисторы используются для реализации новых функций и возможностей. В настоящее время наблюдается переход от отдельных компонентов к высокоинтегрированным платформенным решениям и от измерения производительности в гигагерцах к измерению реальных результатов в виде возможностей связи, защищенности и управляемости. В платформах используются интегрированные инновационные технологии, которые идеально сочетаются друг с другом и дают возможность создать современные, более рациональные модели использования.

Сейчас корпорация Intel делает упор на исследования, разработки и маркетинговые кампании на уровне платформ. Изначально разрабатываемые для конечного пользователя, платформы обеспечивают потребителям и организациям новые возможности использования современных технологий в соответствии с новыми требованиями.

Новые полупроводниковые и производственные технологии

Революционные достижения в области полупроводниковых и производственных технологий помогают корпорации Intel сохранить свое ведущее положение в отрасли и предоставить новые конкурентные преимущества компаниям, создающим свою продукцию на базе архитектуры Intel. Занимая лидирующее положение в области полупроводниковых технологий, корпорация Intel использует преимущества закона Мура, связанные с повышением производительности и одновременным уменьшением производственных затрат, а также с открытием новых возможностей и созданием новой продукции, оптимизированной для разнообразных приложений.

• Полупроводниковая производственная технология. Корпорация Intel планирует представить продукцию на базе 65-нанометровой производственной технологии уже в 2005 году, что будет означать очередной рекорд в виде создания новой производственной технологии каждые два года. В новой производственной технологии будут использоваться транзисторы с длиной затвора всего 35 нанометров. Они станут самыми миниатюрными и самыми высокопроизводительными транзисторами в массовом производстве и передовыми полупроводниками второго поколения на базе технологии «напряженного кремния». В настоящее время корпорация Intel строит в Ирландии новый завод (Fab 24-2), где будет использоваться 65-нанометровая производственная технология.

• Исследования материалов. Исследователи корпорации Intel разработали побившие все рекорды высокопроизводительные транзисторы на базе нового материала «high-k» для диэлектрика затвора и новых металлов для электрода затвора. Это сочетание позволяет значительно сократить утечки тока, сохраняя очень высокую производительность транзистора.

• Полупроводниковая фотоэлектроника позволяет создавать оптические решения на базе полупроводниковых материалов, обеспечивая преимущества низкой стоимости, компактности и производительности.

версия для печати