Пресс-релизы

19 сентября 2002 г

Исследователи Intel возвещают новую "трехмерную" эру в конструкции транзисторов

Исследователи корпорации Intel разработали трехмерную конструкцию транзистора с тройным затвором, которая обеспечивает более эффективный расход энергии по сравнению с традиционными планарными (плоскими) транзисторами. Эта разработка знаменует собой начало новой эры v эры неплоских трехмерных конструкций транзисторов, которые Intel и другие представители полупроводниковой индустрии должны принять на вооружение для поддержания темпов развития согласно закону Мура по окончании текущего десятилетия.

LНаши исследования показали, что по преодолении рубежа в 30 нанометров физическая основа плоских планарных транзисторов с одинарным затвором начинает давать утечку слишком большого количества энергии, что не позволит нам достичь наших будущих целей в отношении производительности, - говорит доктор Джеральд Марчик (Gerald Marcyk), директор лаборатории изучения компонентов Intel. - Конструкция транзистора с тройным затвором позволит Intel создавать сверхмалые транзисторы, которые обеспечат еще более высокую производительность при низком энергопотреблении и сделают возможным дальнейшее практическое воплощение закона Мура¦.

Новая эра трехмерных транзисторов

Транзисторы v это микроскопические переключатели на кремниевой основе, которые обрабатывают нули и единицы цифровой информации. Они являются фундаментальными структурными компонентами всех полупроводниковых микросхем. В традиционных планарных транзисторах электрические сигналы Lдвигаются¦, образно говоря, по прямой дороге с односторонним движением. Эта схема верой и правдой служила полупроводниковой индустрии с начала 60-х годов XX века. Однако теперь, когда транзисторы уменьшились в размерах до 30 нанометров (миллиардных долей метра), утечка тока приводит к тому, что транзисторам для корректной работы необходимо больше энергии, что, в свою очередь, приводит к выделению неприемлемо большого количества тепла.

В основе транзистора корпорации Intel с тройным затвором лежит новаторская трехмерная структура, похожая на приподнятую горизонтальную плоскость с вертикальными стенками. Эта структура позволяет посылать электрические сигналы как по Lкрыше¦ транзистора, так по обеим его Lстенам¦. За счет этого эффективно увеличивается площадь, доступная для прохождения электрических сигналов, v это похоже на расхождение однополосной дороги в широкое трехполосное шоссе, только в случае с транзистором не требуется дополнительного свободного места. Транзистор с тройным затвором в миллимикронных геометрических конструкциях работает не только более эффективно, но и быстрее, проводя на 20 % больше тока выборки по сравнению с традиционной планарной конструкцией с аналогичным размером затвора.

Структура тройного затвора v многообещающая разработка для дальнейшего развития архитектуры терагерцового транзистора, которую корпорация Intel представила в декабре 2001 г. Тройной затвор строится на ультратонком слое полностью обедненного кремния, что обеспечивает снижение утечки тока. Это позволяет транзистору быстрее включаться и выключаться при значительном снижении энергопотребления. Особенностью этой конструкции также являются поднятые исток и сток v в результате снижается сопротивление, что позволяет транзистору работать от тока меньшей мощности. Новая конструкция совместима с разрабатываемым в данный момент диэлектриком K-затвора с высокой проницаемостью, который позволит еще больше снизить утечку тока.

Исследователи Intel обсудят основные элементы новых транзисторов с тройным затвором на Международной конференции по полупроводниковым устройствам и материалам в г. Нагоя (Япония). Intel планирует выпустить специальный технический документ, где будут освещаться производительность, энергопотребление и утечка тока новых транзисторов, а также внесенные в них значительные усовершенствования по сравнению с существующей конструкцией.

Чтобы получить более подробную информацию о трехмерной конструкции транзисторов с тройным затвором и о других исследованиях, проводимых корпорацией Intel, посетите выставку Intel, посвященную полупроводниковым технологиям, по адресу www.intel.com/research/silicon.

версия для печати

SMS

Сообщите коллегам о последних новостях, пресс-релизах и сведениях из Каталога компаний через наш SMS-гейт.

Смотрите также

17 октября 2013 г

 • В Киеве завершился Международный научно-технологический форум «Наука. Инновации. Технологии – 2013»
 • Впервые в Киеве будет проведен глобальный курс для начинающих предпринимателей Earlydays

16 октября 2013 г

 • Украинские предприниматели выходят на международный рынок с помощью Windows Azure
 • Бионические разработки Festo – инвестиции в будущее

15 октября 2013 г

 • Компании тратят $1,5 млн в год на покупку поддельных наклеек на компьютеры

11 октября 2013 г

 • Відбувся 4-й Український форум з управління Інтернетом IGF-UA
 • В Киеве прошла Региональная конференция ENOG 6/RIPE NCC
 • Графические процессоры ускоряют пошив плаща-невидимки
 • Mail.Ru Group оштрафовали за отказ нарушить тайну переписки
 • Количество Android-смартфонов в сети «Киевстар» превысило 2 млн