Пресс-релизы

19 сентября 2002 г

SanDisk и Toshiba представляют устройство следующего поколения - NAND Flash-память емкостью 1 Гб, основанную на 0,13-микронной технологии

Компания SanDisk Corp. и Toshiba America Electronic Components, Inc. представили чип NAND flash-памяти следующего поколения емкостью 1 Гб, произведенный с использованием продвинутой 0,13-микронной технологии.

1-гигабитное NAND-flash устройство может быть использовано в качестве IC-компонента для встроенных приложений или в съемных картах памяти. Производство запоминающих устройств с новой картой памяти запланировано на начало первого квартала 2003 года. В дополнение к 1-гигабитному TSOP-продукту, другие производные 0,13-микронного продукта будут развиваться в грядущие месяцы, включая модели емкостью 512 Мб, 256 Мб и 128 Мб.

"Совместные усилия технологий Toshiba/SanDisk привели к появлению полного ряда продуктов flash-памяти, включая как бинарную NAND, так и мультиуровневую (MLC ў Multi-Level Cell) NAND flash," ў заявил Naohisa Sano, вице-президент бизнес-подразделения TAEC. "МЫ довольны нашей новой технологией, разработанной совместно с SanDisk и теперь представляем первенца из нового семейства 0,13-микронных устройство NAND-flash. Это большая честь анонсировать первый успешный этап."

Sanjay Mehrotra, исполнительный директор и вице-президент компании SanDisk, сказал: "Этот анонс представляет близкие отношения между SanDisk и Toshiba, так как мы продолжаем развивать технологии и продукты, которые идут навстречу или даже превышают рыночные требования в условиях плотности, производительности, стоимости и надежности. Toshiba, с ее великолепными технологиями и производственными мощностями доказала свое право быть стратегическим и наиболее значимым партнером SanDisk в нашем непрерывном поиске возможностей ускорения процесса разработки flash-технологий и расширении рынка для наших устройств хранения на flash-памяти."

SanDisk и TAEC будут независимо продвигать на рынок новые чипы своим заказчикам. Чип flash-памяти емкостью 1 Гб, как ожидается, расширит емкость памяти потребительских устройств, таких как мобильные телефоны, цифровые камеры, цифровые аудиоплейеры, цифровое видео, а также в промышленных устройствах. В дополнение к устройству NAND flash емкостью 1 Гб, этот чип также будет использоваться в продукции CompactFlash- SanDisk и Toshiba.

1-гигабитные чипы NAND-памяти будут производиться для обеих компаний на производственных мощностях завода Toshiba Corporation в городе Yokkaichi, (Япония) по условиям совместного предприятия FlashVision, учрежденного компаниями Toshiba Corporation и SanDisk.

версия для печати

SMS

Сообщите коллегам о последних новостях, пресс-релизах и сведениях из Каталога компаний через наш SMS-гейт.

Смотрите также

17 октября 2013 г

 • В Киеве завершился Международный научно-технологический форум «Наука. Инновации. Технологии – 2013»
 • Впервые в Киеве будет проведен глобальный курс для начинающих предпринимателей Earlydays

16 октября 2013 г

 • Украинские предприниматели выходят на международный рынок с помощью Windows Azure
 • Бионические разработки Festo – инвестиции в будущее

15 октября 2013 г

 • Компании тратят $1,5 млн в год на покупку поддельных наклеек на компьютеры

11 октября 2013 г

 • Відбувся 4-й Український форум з управління Інтернетом IGF-UA
 • В Киеве прошла Региональная конференция ENOG 6/RIPE NCC
 • Графические процессоры ускоряют пошив плаща-невидимки
 • Mail.Ru Group оштрафовали за отказ нарушить тайну переписки
 • Количество Android-смартфонов в сети «Киевстар» превысило 2 млн