|
 |
Пресс-релизы
|
|
15 декабря 2004 г
AMD и IBM объявляют о новом технологическом прорыве в производстве полупроводниковых устройств
AMD и IBM объявили о разработке уникальной передовой технологии производства транзисторов на основе напряженного кремния, позволяющей повысить производительность и снизить энергопотребление процессоров. Новый технологический процесс обеспечивает 24-процентный рост скорости срабатывания транзисторов при сохранении напряжения питания.
Более быстрые и экономичные транзисторы будут применяться для создания более высокопроизводительных процессоров с пониженным энергопотреблением. Чем меньше размер транзистора, тем выше скорость его работы, однако тем серьезнее и опасность подачи повышенного напряжения и перегрева из-за утечки электроэнергии или несовершенства системы коммутации. Напряженный кремний, совместно разработанный компаниями AMD и IBM, позволяет устранить эту опасность. Благодаря новой технологии AMD и IBM стали первыми компаниями в мире, представившими напряженный кремний, который может применяться с технологией размещения кремния на изоляторе (SOI), что позволяет обеспечить дополнительное быстродействие и экономию электроэнергии.
«Новаторские технологические процессы, подобные тем, что применяются при работе с напряженным кремнием, позволяют повысить отдачу от решений AMD для клиентов», — говорит Дирк Майер, исполнительный вице-президент, Подразделение вычислительных систем, AMD. «Успешная разработка передовых технологий обработки кремния позволяет компании AMD производить оборудование с высочайшей в мире удельной производительностью (на ватт потребляемой энергии). Новейшие достижения в работе с напряженным кремнием позволят укрепить наши лидирующие позиции после выпуска двухъядерного процессора AMD Opteron™ в середине 2005 года».
AMD планирует постепенно перевести на новую технологию напряженного кремния все процессорные платформы с технологическим процессом на 90 нм, включая процессоры AMD64, которые будут выпускаться в будущем. AMD планирует выпустить первые процессоры AMD64 с технологическим процессом на 90 нм в первой половине 2005 г.
Корпорация IBM планирует применять новую технологию при производстве различных процессоров с технологическим процессом 90 нм, включая процессоры архитектуры Power. Новые процессоры должны поступить в продажу в первой половине 2005 г.
«Сегодня основным направлением повышения производительности полупроводниковых устройств стали новаторские технологии, отодвинувшие экстенсивный путь развития на второй план», — говорит Лиза Су, вице-президент по стратегическому партнерству и разработке технологий, Подразделение систем и технологий, IBM. «Наше последнее совместное достижение с AMD служит еще одним доказательством того, что компании, готовые делиться знаниями и опытом, могут найти новые пути обхода препятствий и предложить индустрии технологии нового поколения».
Новая технология обработки напряженного кремния называется процессом двойной нагрузки (Dual Stress Liner) и позволяет повысить производительность обоих видов транзисторов (pnp и npn) за счет растягивания атомов кремния в одном транзисторе с одновременным сжатием в другом. Процесс двойной нагрузки не требует применения новых дорогостоящих технологий производства полупроводников и позволяет обойтись стандартными инструментами и материалами, что значительно упрощает его массовое внедрение.
Исследователи AMD и IBM первыми в мире смогли повысить производительность транзисторов обоих типов без привлечения нетрадиционных материалов.
«Этот технологический прорыв в работе с напряженным кремнием стал результатом совместных усилий специалистов IBM в штате Нью-Йорк и AMD в Германии», — заявил Ник Кеплер, вице-президент по разработке технологий производства логических устройств, AMD. «Это оптимальный путь повышения производительности и экономичности — того, чего ждут покупатели процессоров AMD Opteron™ и AMD Athlon™ 64».
Подробности о процессе двойной нагрузки увидят свет на ежегодной международной конференции IEEE по вопросам разработки электронных устройств, которая пройдет с 13 по 15 декабря 2004 года в Сан-Франциско (Калифорния, США). Технологический процесс ПДН с технологией SOI был разработан инженерами IBM, AMD, Sony и Toshiba в центре исследования и разработки полупроводников IBM, расположенном в Ист-Фишкилле (Нью-Йорк, США), совместно с инженерами AMD из центра Fab 30 в Дрездене (Германия).
IBM и AMD начали совместную разработку технологий производства полупроводников нового поколения в январе 2003 г.
 версия для печати
|
SMS
|
|
Сообщите коллегам о последних новостях, пресс-релизах и сведениях из Каталога компаний через наш SMS-гейт.
|
Смотрите также
|
|
17 октября 2013 г
• В Киеве завершился Международный научно-технологический форум «Наука. Инновации. Технологии – 2013»
• Впервые в Киеве будет проведен глобальный курс для начинающих предпринимателей Earlydays
16 октября 2013 г
• Украинские предприниматели выходят на международный рынок с помощью Windows Azure
• Бионические разработки Festo – инвестиции в будущее
15 октября 2013 г
• Компании тратят $1,5 млн в год на покупку поддельных наклеек на компьютеры
11 октября 2013 г
• Відбувся 4-й Український форум з управління Інтернетом IGF-UA
• В Киеве прошла Региональная конференция ENOG 6/RIPE NCC
• Графические процессоры ускоряют пошив плаща-невидимки
• Mail.Ru Group оштрафовали за отказ нарушить тайну переписки
• Количество Android-смартфонов в сети «Киевстар» превысило 2 млн
|
