Пресс-релизы

20 августа 2002 г

Самый передовой в мире процесс Intel по производству КМОП-микросхем с проектной нормой 90 нм

Корпорация Intel продемонстрировала самый передовой в мире технологический процесс производства микросхем с проектной нормой 90 нм, обладающий целым рядом уникальных характеристик. Intel планирует внедрить новый технологический процесс в массовое производство в 2003 году. Он будет использоваться для производства микропроцессоров и другой продукции Intel.

В новом процессе применяется целый ряд передовых технологий:

 самые маленькие в мире серийно изготавливаемые КМОП-транзисторы с длиной затвора всего 50 нм (это обеспечивает повышение производительности и снижение энергопотребления);

 самый тонкий оксидный слой затвора среди всех когда-либо применявшихся в производстве транзисторов - всего 1,2 нм (менее 5 атомарных слоев в толщину);

 первая в отрасли реализация высокоэффективной технологии напряженного кремния.

В слоях напряженного кремния расстояние между атомами больше, чем в обычном полупроводнике. Это обеспечивает более свободное протекание тока, аналогично тому, как на дороге с более широкими полосами движения свободнее и быстрее движется транспорт. Итоговый результат - улучшение на 10-20% рабочих характеристик транзисторов при росте затрат на производство всего в 2%.

Все эти особенности в сочетании с 300-мм кремниевыми подложками дают корпорации Intel выигрыш в производительности, объемах производства и себестоимости. В выигрыше оказываются и потребители, поскольку новый технологический процесс Intel позволит продолжать развитие отрасли в соответствии с законом Мура, вновь и вновь повышая производительность и увеличивая время автономной работы широкого спектра продукции - от самых мощных настольных ПК и серверов до самых совершенных мобильных ПК и карманных устройств.

90-нм технология Intel уже позволила получить рекордные результаты:

 с помощью этого процесса в марте 2002 г. в корпорации Intel были изготовлены самые высокопроизводительные в мире полнофункциональные микросхемы синхронной памяти SRAM емкостью 52 МБ. В этих микросхемах 330 миллионов транзисторов уместились на кристалле размером меньше человеческого ногтя (10,1 мм x 10,8 мм);

 в этих микросхемах был также поставлен мировой рекорд миниатюризации ячейки SRAM - всего один квадратный микрон. С чем это можно сравнить? Размеры эритроцита (красной кровяной клетки) человека примерно в 100 раз больше;

 благодаря новому технологическому процессу были получены подложки с максимальным количеством транзисторов - более 120 миллиардов на пластине размером 300 мм;

 90-нанометровый техпроцесс позволяет создавать микропроцессоры, способные работать с тактовыми частотами более 3 ГГц, а размер кристалла благодаря новейшей технологии может быть уменьшен на 50%.

Новый технологический процесс был разработан на опытном заводе Intel по обработке 300-мм пластин (завод D1C) в г. Хиллсборо, штат Орегон. В нем совместно используются современные литографические установки с длиной волны излучения 193 нм и 248 нм. Корпорация Intel планирует использовать 90-нм технологию исключительно на 300-миллиметровых пластинах. Внедрение нового процесса в массовое производство намечено на следующий год.

Уместно напомнить, что ранее корпорация Intel заявила о возобновлении строительства производственного объекта на Fab 24 в Лейкслипе (Ирландия), который предназначен для изготовления передовых полупроводниковых компонентов на 300-миллиметровых кремниевых подложках по технологии, основанной на новейшем 90-нанометровом производственном процессе:

 стоимость объекта составляет около 2 млрд долл. (таким образом, суммарные инвестиции Intel в производственные мощности в Ирландии в 2004 г. достигнут отметки 5 млрд долл.);

 после ввода в действие в 2004 г. на предприятии будет занято около 1 000 сотрудников;

 новое предприятие общей площадью немногим более 1 млн кв футов с особо чистыми помещениями площадью 160 тыс. кв футов предполагается запустить в эксплуатацию в первой половине 2004 г. После ввода в действие нового объекта корпорация будет располагать четырьмя действующими мощностями по производству 300-миллиметровых подложек;

 производство на основе 300-мм подложек позволит значительно увеличить выпуск компьютерных микросхем и снизить их себестоимость по сравнению с используемым сейчас 200-мм стандартом плстин. Подложка диаметром 300 мм обеспечивает 225-процентное увеличение площади кремниевой пластины и 240-процентное увеличение полезного выхода кристаллов (отдельных компьютерных микросхем) с каждой подложки. Использование подложек большего размера снижает себестоимость микросхемы при уменьшении общего потребления ресурсов (использование 300-мм подложек приводит к 40-процентному снижению потребления энергии и воды в пересчете на одну микросхему).

версия для печати

SMS

Сообщите коллегам о последних новостях, пресс-релизах и сведениях из Каталога компаний через наш SMS-гейт.

Смотрите также

17 октября 2013 г

 • В Киеве завершился Международный научно-технологический форум «Наука. Инновации. Технологии – 2013»
 • Впервые в Киеве будет проведен глобальный курс для начинающих предпринимателей Earlydays

16 октября 2013 г

 • Украинские предприниматели выходят на международный рынок с помощью Windows Azure
 • Бионические разработки Festo – инвестиции в будущее

15 октября 2013 г

 • Компании тратят $1,5 млн в год на покупку поддельных наклеек на компьютеры

11 октября 2013 г

 • Відбувся 4-й Український форум з управління Інтернетом IGF-UA
 • В Киеве прошла Региональная конференция ENOG 6/RIPE NCC
 • Графические процессоры ускоряют пошив плаща-невидимки
 • Mail.Ru Group оштрафовали за отказ нарушить тайну переписки
 • Количество Android-смартфонов в сети «Киевстар» превысило 2 млн