|
Пресс-релизы
|
|
23 апреля 2004 г
Spansion выпускает первые опытные образцы флэш-памяти на базе технологии MirrorBit второго поколения
Компания Spansion объявила о том, что она предоставила первой группе клиентов несколько сотен опытно-конструкторских образцов флэш-памяти на базе технологии MirrorBit второго поколения с нормой проектирования 110 нм. Эти образцы, выполненные как в автономном варианте, так и в многоуровневых корпусах с несколькими микросхемами (MCP), позволят клиентам корпораций AMD и Fujitsu интегрировать данную технологию в продукты, выпуск которых запланирован на третий квартал.
Технология MirrorBit второго поколения, оптимизированная для использования в 1,8-вольтовых беспроводных решениях, обеспечивает наилучшее в отрасли соотношение цена/производительность, а также самый широкий среди всех флэш-технологий NOR набор функциональных возможностей и самые высокие показатели плотности. Эта технология позволяет создавать многофункциональные продукты, которые поддерживают одновременное выполнение операций чтения-записи, высокоскоростной интерфейс пакетного режима, систему безопасности Advanced Sector Protection и крайне низкий уровень энергопотребления.
«Технология MirrorBit второго поколения освободит наших клиентов от традиционных ограничений в соотношении цена/производительность, характерных для технологии плавающего затвора с многоуровневыми ячейками (MLC), — объясняет Бертран Камбу (Bertrand Cambou), президент и генеральный директор Spansion. — Технологии MirrorBit, имевшей в 2001 г. лишь статус спецификации, потребовалось всего три года и два поколения разработки, чтобы превзойти результаты, достигнутые конкурирующими решениями MLC с плавающим затвором за семь лет и четыре поколения».
Добиться первенства по соотношению цена/производительность технологии MirrorBit позволили фундаментальные преимущества перед технологией MLC с плавающим затвором, обеспечивающие увеличенный объем выработки, отличное качество и высокую пропускную способность производственных линий:
Объем выработки для высокоплотных микросхем (от 128-мегабитных до 512-мегабитных) увеличен почти на 30% по сравнению с технологией MLC с плавающим затвором, что позволяет значительно улучшить структуру себестоимости автономных и многокристальных продуктов
Уменьшенное на 40% число критических уровней маскирования снижает чувствительность к дефектам в процессе изготовления и повышает качество готового продукта
Пропускная способность заводских производственных линий повышена на 10% за счет упрощения и рационализации процесса изготовления
Spansion разработала технологию MirrorBit специально для клиентов, требующих максимального соотношения цена/производительность по всему спектру приложений флэш-памяти. В результате производители все чаще заменяют микросхемы с плавающим затвором и однобитовыми или многоуровневыми ячейками в мобильных телефонах высшего класса, устройствах PDA, цифровых камерах, серверах, телеприставках, принтерах, сетевом и телекоммуникационном оборудовании, игровых системах и навигационных устройствах. Решения флэш-памяти на базе технологии MirrorBit второго поколения будут продавать корпорации AMD и Fujitsu.
версия для печати
|
SMS
|
|
Сообщите коллегам о последних новостях, пресс-релизах и сведениях из Каталога компаний через наш SMS-гейт.
|
Смотрите также
|
|
17 октября 2013 г
• В Киеве завершился Международный научно-технологический форум «Наука. Инновации. Технологии – 2013»
• Впервые в Киеве будет проведен глобальный курс для начинающих предпринимателей Earlydays
16 октября 2013 г
• Украинские предприниматели выходят на международный рынок с помощью Windows Azure
• Бионические разработки Festo – инвестиции в будущее
15 октября 2013 г
• Компании тратят $1,5 млн в год на покупку поддельных наклеек на компьютеры
11 октября 2013 г
• Відбувся 4-й Український форум з управління Інтернетом IGF-UA
• В Киеве прошла Региональная конференция ENOG 6/RIPE NCC
• Графические процессоры ускоряют пошив плаща-невидимки
• Mail.Ru Group оштрафовали за отказ нарушить тайну переписки
• Количество Android-смартфонов в сети «Киевстар» превысило 2 млн
|