Пресс-релизы

11 декабря 2003 г

FASL LLC увеличивает производство флэш-памяти в ответ на настоятельные требования заказчиков из AMD и Fujitsu

FASL LLC планирует в 2004 году повышение производства продуктов флэш-памяти Spansion в рамках долговременной стратегии удовлетворения запросов на беспроводные устройства, поступающих от заказчиков из AMD (NYSE: AMD) и Fujitsu (TSE: 6702). К концу 2004 г. объем производства 110-нанометровых устройств емкостью 128 Мбит должен превысить 80% текущего производства FAB 25 и JV3, двух крупнейших заводов компании по производству флэш-памяти. Планируется, что 110-нанометровые модули емкостью 128 Мбит будет составлять более 60% общего производства фабрик.

«Беспроводные продукты наших наиболее продвинутых потребителей требуют высокой мощностей производства, с передовыми флэш-технологиями, которые обеспечивают впечатляющую производительность», - пояснил Амир Машкури, вице-президент группы и главный менеджер подразделения беспроводных технологий FASL LLC. «Планируемый в течение 2004 года рост производства устройств по технологии 110 нанометров будет опираться на передовую технологию Floating Gate и, в особенности, на нашу уникальную технологию второго поколения 110 нм MirrorBit™. Использование этих технологий приведет к появлению различных новых продуктов, предназначенных для наших заказчиков».

Технология 110 нм MirrorBit была создана для серьезного расширения линейки продуктов флэш-памяти Spansion и добавления к ней высокопроизводительных полноценных устройств емкостью 256 Мбит с напряжением питания 1.8 Вольт, предназначенных для рынка беспроводных продуктов. Предполагаемый набор свойств включает в себя пакетный режим обмена данными на частотах более 80 МГц, малое время доступа и низкое энергопотребление. Первая микросхема, созданная по этой технологии, Spansion S29WS256N, уже испытывается, представление образцов намечено на первую половину 2004 года

«Наше решение, сделанное в 2001 году, о перепрофилировании Fab 25 с микросхем компьютерной логики на производство флэш-памяти, оказалось дальновидным. Это подтверждает и рост прибыльности фабрики, и то, что технологии 170 нм в 2002 году, а 130 нм в настоящее время получили исключительную поддержку, которую мы ждем и для 110 нм технологии в 2004 году», - сказал Бертран Камбу, исполнительный директор и президент FASL LLC. «Включение Fab 25 в FASL LLC, наряду с JV1, JV2 и JV3, удвоит в течение 2004 года нашу общую производительность, что даст нам достаточные промышленные мощности для производства флэш-памяти, чтобы удовлетворить растущие запросы наших заказчиков».

В качестве подразделения по производству Флэш-памяти Fab 25 произведет в 2004 году кремниевых заготовок («вафель») более, чем на 30% больше по сравнению с тем временем, когда она выпускала микросхемы компьютерной логики, при понижении себестоимости «вафель» более чем на 40% Производство элементов памяти 128 Мбит технологии 110 нм и 130 нм на фабрике Fab 25 к концу 2004 года позволит увеличить прибыль в 8 раз по сравнению с последним кварталом этого года.

версия для печати

SMS

Сообщите коллегам о последних новостях, пресс-релизах и сведениях из Каталога компаний через наш SMS-гейт.

Смотрите также

17 октября 2013 г

 • В Киеве завершился Международный научно-технологический форум «Наука. Инновации. Технологии – 2013»
 • Впервые в Киеве будет проведен глобальный курс для начинающих предпринимателей Earlydays

16 октября 2013 г

 • Украинские предприниматели выходят на международный рынок с помощью Windows Azure
 • Бионические разработки Festo – инвестиции в будущее

15 октября 2013 г

 • Компании тратят $1,5 млн в год на покупку поддельных наклеек на компьютеры

11 октября 2013 г

 • Відбувся 4-й Український форум з управління Інтернетом IGF-UA
 • В Киеве прошла Региональная конференция ENOG 6/RIPE NCC
 • Графические процессоры ускоряют пошив плаща-невидимки
 • Mail.Ru Group оштрафовали за отказ нарушить тайну переписки
 • Количество Android-смартфонов в сети «Киевстар» превысило 2 млн