Пресс-релизы

11 декабря 2003 г

Специалисты AMD сообщают новые данные о разрабатываемых высокоскоростных транзисторах с рекордной производительностью

На очередной ежегодной международной конференции по электронным устройствам IEDM 2003 (International Electron Devices Meeting), проведенной институтом IEEE в Вашингтоне, корпорация AMD сообщила дополнительную информацию о своей новейшей технологии транзисторов следующего поколения типа «кремний на диэлектрике» (SOI), а также представила новые данные об успешном использовании этой технологии в микропроцессорах, выпускаемых корпорацией в настоящее время.

«В новом поколении транзисторов SOI реализован целый ряд наиболее значимых инноваций AMD, интегрированных в единую структуру. Это весьма важное достижение стало результатом широкомасштабных исследований и позволяет надеяться, что AMD и впредь сможет удовлетворять потребности своих клиентов, интересующихся в первую очередь высокой производительностью и низким энергопотреблением», — говорит Крейг Сандер (Craig Sander), вице-президент AMD по вопросам разработки технологических процессов.

На пути к созданию законченного 45-нм решения

Ожидается, что новый транзистор AMD станет высоконадежным решением для многих ключевых задач, с которыми полупроводниковая отрасль может столкнуться в ходе разработки 45-нм технологий.

«Каждое уменьшение размеров транзисторов, достигаемое в очередном поколении технологического процесса, оборачивается новыми проблемами. Одной из них является необходимость сокращения утечки тока при выключенном транзисторе, но не менее важное значение имеет увеличение силы тока во включенном состоянии, — говорит Минь-Рен Лин (Ming-Ren Lin), научный сотрудник AMD. — В других компаниях исследователи рассматривают эти проблемы, как правило, вне связи друг с другом, тогда как в AMD практикуется комплексный подход».

Согласно Международному технологическому плану выпуска полупроводников (International Technology Roadmap for Semiconductors), для выхода на прогнозируемый уровень производительности в 45-нм технологии необходимо снизить размер транзисторного затвора (основного компонента транзистора, включающего и выключающего проходящий через него электрический ток) до 20 нанометров. Сегодня минимальная длина затвора в самых быстродействующих микропроцессорах AMD составляет примерно 50 нм.

«Неуклонное уменьшение размеров транзисторных затворов является решающим фактором стабильного увеличения производительности транзисторов, и мы не видим никаких признаков ослабления этой тенденции, — добавляет Лин. — Для поддержания прежних темпов внедрения новых технологий необходимо, чтобы ведущие производители принимали на вооружение инновационные транзисторные структуры, следуя примеру AMD».

Уникальная многозатворная структура

Новая архитектура транзисторов, разработанная в AMD, состоит из трех затворов (в современных транзисторах используется только один затвор) и включает ряд новшеств, которые позволят в дальнейшем постепенно уменьшить размер затвора до 20 нм и ниже, сопровождая это повышением быстродействия и сокращением утечки тока. Кроме того, в транзисторных затворах AMD не используются так называемые диэлектрики high-k, которые, как было замечено, оказывают негативное влияние на некоторые аспекты производительности транзистора.

«Мы применяем структурированный подход, используя привычные материалы новыми методами, и рассчитываем таким образом построить решение с затвором в 20 нанометров. Это достижение будет служить основой технологического прогресса в отрасли на протяжении ближайших лет», — заявляет Лин.

При создании многозатворной структуры исследователи AMD использовали следующие технологии:

Полностью обедненный кремний на диэлектрике (FDSOI): это технология SOI нового поколения, отличающаяся от современных решений повышенной производительностью и экономным энергопотреблением.

Металлические затворы: затворы изготавливаются из силицида кремния, а не из полисиликона, как прежде, что позволяет повысить силу тока и уменьшить нежелательные утечки.

Локально деформированный канал: революционный метод применения улучшенных материалов с «растянутой» кристаллической решеткой. Увеличение межатомных промежутков в токопроводящем канале транзистора способствует большей подвижности электронов.

В результате этих исследований в AMD были сконструированы транзисторы, демонстрирующие рекордную производительность на фоне резкого сокращения утечки тока. Подробнее с техническими характеристиками многозатворной архитектуры AMD, обнародованными на конференции, можно ознакомиться на сайте www.amd.com/IEDM03_triple.

Реализация преимуществ SOI

Исследования AMD в области нового поколения SOI опираются на достигнутые компанией успехи в применении SOI в условиях крупномасштабного производства на заводе AMD Fab 30. Специалисты AMD рассказали на конференции IEDM и об этих успехах, предоставив исчерпывающую информацию о том, как технологии SOI, используемые в процессорах AMD64, позволяют увеличивать производительность продукта и одновременно снижать требования к уровню энергопотребления.

«SOI — главное, что позволило достичь в процессоре AMD Opteron™ высочайших уровней 32-разрядной и 64-разрядной производительности при минимальном энергопотреблении, — отмечает Сандер. — Пониженный расход питания означает уменьшение тепловыделения. Для корпоративных ИТ-администраторов снижение тепловыделения может стать решающим фактором сокращения совокупной стоимости владения и повышения надежности системы».

AMD также впервые сообщила о своих достижениях в области использования так называемых диэлектриков «low-k», улучшающих быстродействие электрических схем. Эти материалы изолируют медные межсоединения, по которым в микросхеме передаются электрические сигналы, и тем самым позволяют снизить уровень энергии, необходимой для распространения этих сигналов. AMD является признанным лидером по внедрению материалов low-k в массовое производство еще со времен реализации 130-нм технологического процесса на заводе Fab 30.

версия для печати

SMS

Сообщите коллегам о последних новостях, пресс-релизах и сведениях из Каталога компаний через наш SMS-гейт.

Смотрите также

17 октября 2013 г

 • В Киеве завершился Международный научно-технологический форум «Наука. Инновации. Технологии – 2013»
 • Впервые в Киеве будет проведен глобальный курс для начинающих предпринимателей Earlydays

16 октября 2013 г

 • Украинские предприниматели выходят на международный рынок с помощью Windows Azure
 • Бионические разработки Festo – инвестиции в будущее

15 октября 2013 г

 • Компании тратят $1,5 млн в год на покупку поддельных наклеек на компьютеры

11 октября 2013 г

 • Відбувся 4-й Український форум з управління Інтернетом IGF-UA
 • В Киеве прошла Региональная конференция ENOG 6/RIPE NCC
 • Графические процессоры ускоряют пошив плаща-невидимки
 • Mail.Ru Group оштрафовали за отказ нарушить тайну переписки
 • Количество Android-смартфонов в сети «Киевстар» превысило 2 млн