RSS-лента

 
Новости
Пресс-релизы

Поиск по компаниям

 
Расширенный поиск
Обзоры сети

Архив пресс-релизов

 

2002 г
2003 г
янв фев мар апр
май июн июл авг
сен окт ноя дек

апрель

Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
1 2 3 4 5 6
7 8 9 10 11 12 13
14 15 16 17 18 19 20
21 22 23 24 25 26 27
2004 г
2005 г
2006 г
2007 г
2008 г
2009 г
2010 г
2011 г
2012 г
2013 г







© ICC.  Перепечатка допускается

только с разрешения .

Пресс-релизы

 

14 апреля 2003 г

Intel представила сверхтонкие устройства фл¦ш-памяти многоуровневой компоновки для широкого ассортимента сотовых телефонов

Корпорация Intel представила серию устройств флэш-памяти, объединяющих в себе до пяти сверхтонких микросхем, способных значительно расширить объем памяти мобильных телефонных аппаратов при пониженном энергопотреблении и оптимальной компоновке. Беспроводные запоминающие устройства Intel StrataFlash в компактном корпусе типа Intel Ultra-Thin Stacked Chip-Scale Packaging (CSP), напряжение питания которых составляет всего 1,8 вольта, призваны облегчить проектировщикам решение задач по расширению функций относительно тонких мобильных телефонных аппаратов за счет возможностей фото и видеосъемки, компьютерных игр, обмена сообщениями по электронной почте.

Одновременно корпорация Intel объявила о достижении рекордного объема поставок устройств флэш-памяти в 2 миллиарда единиц, что можно расценить как убедительное подтверждение растущей роли таких устройств на рынке сотовой телефонии и беспроводной связи. Оба сообщения сделаны вице-президентом корпорации Intel и руководителем ее подразделения Flash Products Group Дарином Биллербеком (Darin Billerbeck) в докладе на проходящем в Токио Форуме Intel для разработчиков.

LМногоуровневая компоновка стремительно становится стандартом на рынке сотовых и беспроводных средств связи, v отметил докладчик. v Высокая плотность размещения запоминающих устройств Intel StrataFlash в сверхтонком многоуровневом корпусе типа CSP существенно расширяет возможности наших заказчиков по изготовлению мобильных телефонных аппаратов, насыщенных самыми разнообразными функциями без малейшего ущерба их миниатюрности¦.

На организацию поставок первого миллиарда отдельных устройств флэш-памяти у корпорации Intel ушло 12 лет, второго миллиарда v всего три года. Помимо этого, объем поставок устройств флэш-памяти многоуровневой компоновки в корпусе типа Intel- Stacked Chip-Scale Packaging (Intel- Stacked-CSP) уже превысил 150 млн единиц.

Первоначально устройства флэш-памяти в корпусе типа Intel Stacked-CSP проектировались и изготавливались на заказ для производителей высококлассных многофункциональных мобильных телефонных аппаратов. Сегодняшний день знаменуется новым подходом к изготовлению устройств флэш-памяти многоуровневой компоновки на основе крупномасштабного, унифицированного производственного процесса, способного значительно ускорить насыщение рынка. Новые, унифицированные устройства флэш-памяти многоуровневой компоновки призваны упростить модернизацию базовых моделей беспроводных аппаратов путем уплотнения размещения запоминающих устройств и, как следствие, наращивания их объема и, в целом, производительности такого оборудования.

Высококлассные полупроводниковые устройства и их компоновка

Применение нового корпуса типа Intel Ultra-Thin Stacked-CSP, разработанного на основе самой передовой технологии изготовления и компоновки сверхтонких полупроводниковых пластин, сделало возможным создание низкопрофильных, тонких устройств флэш-памяти серии Intel Stacked-CSP, отличающихся повышенной гибкостью компоновки. В основе чрезвычайной миниатюрности и привлекательности многоуровневых решений Intel для беспроводного оборудования лежит сочетание низкого энергопотребления (1,8 вольта) устройств флэш-памяти Intel StrataFlash с новым, сверхкомпактным корпусом типа Intel Ultra-Thin Stacked-CSP.

В одном устройстве флэш-памяти многоуровневой компоновки размещается до пяти кристаллов, при этом его высота не превышает 1,0 мм. Запоминающие устройства типа SRAM, PSRAM и LP-SDRAM работают на 16-ти или 32-разрядной шине. Объем памяти таких устройств, намеченных к выпуску в текущем году, составит до 512 мегабит (Мбит), а в следующем году будет увеличена до 1 гигабита (Гбит), что обеспечит бесперебойную работу массивных приложений для обработки данных одновременно с исполнением программного кода. Помимо этого, в устройствах будет применяться новейшая технология многоуровневой ячеистой флэш-памяти Intel.

Многоуровневая ячеистая флэш-память (MLC), впервые представленная Intel еще в 1997 г., отличается удвоенным объемом данных, которые записываются в каждую ячейку памяти, а также повышенной плотностью компоновки и дешевизной таких устройств. Микросхемы Intel StrataFlash для беспроводного оборудования, работающие под напряжением 1,8 вольта и представляющие четвертое поколение технологии флэш-памяти Intel MLC, изготавливаются на основе самого передового производственного процесса v 0,13-микронной литографии. Первые в мире устройства флэш-памяти типа MLC, работающие под напряжением 1,8 вольта, обеспечивают существенный прирост производительности беспроводных аппаратов, наряду с пониженным энергопотреблением и увеличенным временем автономной работы, способствуя дальнейшей миниатюризации такого оборудования.

Цены и возможность приобретения

В настоящее время идут поставки опытных образцов устройств серии Intel Ultra-Thin Stacked-CSP на основе микросхем флэш-памяти Intel StrataFlash для беспроводного оборудования, работающих под напряжением 1,8 вольта. Начало массовых поставок намечено на третий квартал 2003 г. Цены устанавливаются в зависимости от конкретного типа микросхем оперативной и флэш-памяти.

Более подробная информация о микросхемах флэш-памяти Intel StrataFlash для беспроводного оборудования, работающих под напряжением 1,8 вольта, а также об устройствах серии Intel Ultra-Thin Stacked-CSP, доступна на Web-сайте по адресу: http://developer.intel.com/design/flcomp/prodbref/251890.htm.

версия для печати


SMS

 

Сообщите коллегам о последних новостях, пресс-релизах и сведениях из Каталога компаний через наш SMS-гейт.


Смотрите также

 

17 октября 2013 г

 • В Киеве завершился Международный научно-технологический форум «Наука. Инновации. Технологии – 2013»
 • Впервые в Киеве будет проведен глобальный курс для начинающих предпринимателей Earlydays

16 октября 2013 г

 • Украинские предприниматели выходят на международный рынок с помощью Windows Azure
 • Бионические разработки Festo – инвестиции в будущее

15 октября 2013 г

 • Компании тратят $1,5 млн в год на покупку поддельных наклеек на компьютеры

11 октября 2013 г

 • Відбувся 4-й Український форум з управління Інтернетом IGF-UA
 • В Киеве прошла Региональная конференция ENOG 6/RIPE NCC
 • Графические процессоры ускоряют пошив плаща-невидимки
 • Mail.Ru Group оштрафовали за отказ нарушить тайну переписки
 • Количество Android-смартфонов в сети «Киевстар» превысило 2 млн

Реклама

 

Рубрики

 


© ITware 2000-2013