RSS-лента

 
Новости
Пресс-релизы

Поиск по компаниям

 
Расширенный поиск
Обзоры сети

Архив пресс-релизов

 

2002 г
2003 г
янв фев мар апр
май июн июл авг
сен окт ноя дек

март

Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
1 2
3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14 15 16
17 18 19 20 21 22 23
2004 г
2005 г
2006 г
2007 г
2008 г
2009 г
2010 г
2011 г
2012 г
2013 г







© ICC.  Перепечатка допускается

только с разрешения .

Пресс-релизы

 

17 марта 2003 г

SanDisk представляет устройство на Flash-памяти емкостью 2 Гб

Компания SanDisk анонсировала двухгигабитное однокристальное устройство, использующее память NAND flash. Кроме того, два таких кристалла емкостью 2 Гб будут упакованы в единичный пакет TSOP (Thin Small Outline Package) для производства 4-х гигабитных (512 МБ) NAND-компонентов. Новые продукты емкостью 2Гбит и 4 Гбит были представлены на Hi-Tech ярмарке CeBIT, на которой SanDisk демонстрировал свою продукцию в павильоне 21, стенд B-24.

Двухгигабитное устройство, в два раза большее по объему, чем наибольший предлагаемый ранее компонент SanDisk, было разработано совместно компаниями Toshiba Corporation и SanDisk и объединяет запатентованную SanDisk технологию мультиуровневых ячеек (MLC) и 0,13-микронную NAND flash-технологию следующего поколения. MLC позволяет хранить два бита данных в одной ячейке памяти, в результате чего емкость памяти удваивается в сравнении с традиционными чипами NAND flash. Технология будет использоваться для создания карт flash-памяти и встроенных запоминающих устройств, в свою очередь предназначенных для растущего числа электронной продукции, которые требуют высокого объема хранения данных.

Bo Ericsson, вице-президент и OEM-маркетинга в SanDisk, заметил: "Миниатюризация современных портативных устройств, включая мобильные телефоны, КПК, цифровые камеры, видеокамеры и MP3-плейера, оставляет все меньше места для различных компонентов, таких как flash-память. В то же самое время, эти электронные устройства требуют все большего объема памяти. Наши новые двухгигабитные чипы NAND flash предлагают товарным производителям то, что они искали ў больше flash-памяти в минимально возможном объеме. Это также позволяет нам предлагать более высокоемкие стандартные карты flash-памяти."

Двухгигабитные чипы NAND будут производиться по 0,13-микронному процессу на совместном предприятии Flash Vision в Японии, основанному компаниями Toshiba Corporation и SanDisk и расположенному в Yokkaichi, Япония.

SanDisk сейчас предлагает несколько разновидностей flash-памяти в диапазоне от 128 Мбит до 2 Гбит. Ожидается, что новые устройства емкостью 2 Гбит будут продаваться уже в этом месяце. Устройства емкостью 4 Гбит начнут продаваться в апреле 2003 года. Стоимость для OEM-поставок для 2-х и 4-х гигабитных устройств составит $80 и $160 соответственно. SanDisk также планирует в течении 2003 года представить производные от этих устройств более низкой плотности, используя эту ключевую технологию.

версия для печати


SMS

 

Сообщите коллегам о последних новостях, пресс-релизах и сведениях из Каталога компаний через наш SMS-гейт.


Смотрите также

 

17 октября 2013 г

 • В Киеве завершился Международный научно-технологический форум «Наука. Инновации. Технологии – 2013»
 • Впервые в Киеве будет проведен глобальный курс для начинающих предпринимателей Earlydays

16 октября 2013 г

 • Украинские предприниматели выходят на международный рынок с помощью Windows Azure
 • Бионические разработки Festo – инвестиции в будущее

15 октября 2013 г

 • Компании тратят $1,5 млн в год на покупку поддельных наклеек на компьютеры

11 октября 2013 г

 • Відбувся 4-й Український форум з управління Інтернетом IGF-UA
 • В Киеве прошла Региональная конференция ENOG 6/RIPE NCC
 • Графические процессоры ускоряют пошив плаща-невидимки
 • Mail.Ru Group оштрафовали за отказ нарушить тайну переписки
 • Количество Android-смартфонов в сети «Киевстар» превысило 2 млн

Реклама

 

Рубрики

 


© ITware 2000-2013