
		Пресс-релизы / Февраль 2003

RSS-лента

Новости

Пресс-релизы

Поиск по компаниям


Расширенный поиск
Обзоры сети

Архив пресс-релизов

2002 г

2003 г

янв	фев	мар	апр
май	июн	июл	авг
сен	окт	ноя	дек
февраль

2004 г

2005 г

2006 г

2007 г

2008 г

2009 г

2010 г

2011 г

2012 г

2013 г

Пресс-релизы

19 февраля 2003 г

Фабрика Intel в Аризоне переходит на изготовление 300-миллиметровых пластин

Корпорация Intel объявила о предстоящем переводе фабрики Fab 12, расположенной в гор. Чандлер (шт. Аризона), с 200-миллиметровой на 300-миллиметровую технологию изготовления полупроводниковых пластин. Модернизация, стоимость которой оценивается в 2 млрд долл., начнется в первом полугодии 2004 г., а ввод обновленных мощностей в эксплуатацию намечен на конец 2005 года. Производство на модернизированной фабрике будет вестись по 65-нанометровой технологии.

LСтоль значительные средства мы вкладываем, исходя из уверенности в действенности закона Мура, v поясняет Боб Бейкер (Bob Baker), старший вице-президент корпорации и генеральный менеджер ее подразделения Intel Technology and Manufacturing Group. -v Переход на изготовление 300-миллиметровых полупроводниковых пластин по самой передовой производственной технологии позволит нам и далее наращивать мощность вычислительных устройств, расширяя их функциональные возможности одновременно со снижением их стоимости¦.

LВнедрение новой технологии, v отметил далее Боб Бейкер, v резко повышает эффективность наших инвестиций, обеспечивая более чем двукратный рост производственных мощностей при весьма значительной экономии вложенных средств. Наряду с повторным вводом в эксплуатацию уже работающей фабрики, где изготавливаются 200-миллиметровые пластины, дополнительную экономию принесет наличие высококвалифицированной рабочей силы¦.

По завершении модернизации фабрика Fab 12 станет пятым предприятием Intel, где изготавливаются 300-миллиметровые полупроводниковые пластины. Совокупная производственная мощность этих пяти предприятий аналогична мощности десятка фабрик, продолжающих изготовление пластин по 200-миллиметровой технологии. В настоящее время 300-миллиметровые пластины изготавливаются на двух фабриках Intel: в Хиллсборо (шт. Орегон) и Рио-Ранчо (шт. Нью-Мексико). Еще две такие фабрики строятся в Орегоне (ввод ее в эксплуатацию намечен на конец текущего года) и в Ирландии (эта фабрика вступит в строй в первом полугодии 2004 г.).

По сравнению с действующим стандартом изготовления пластин диаметром 200 мм, 300-миллиметровые пластины резко снижают себестоимость полупроводниковых устройств. Общая площадь полупроводящей поверхности 300-миллиметровой пластины на 225 процентов (т.е. более чем вдвое) превышает аналогичный показатель 200-миллиметровой пластины, а количество печатных схем (т.е. отдельных вычислительных элементов) повышается на 240 процентов. Укрупнение пластин снижает не только удельную себестоимость микросхем, но и потребление ресурсов в производственном процессе: так, удельное потребление энергии и воды на фабрике, изготавливающей 300-миллиметровые пластины, на 40 процентов ниже, чем на аналогичной фабрике по производству 200-миллиметровых пластин.

Одновременно корпорация Intel объявила о намерении продать принадлежащие ей 212 гектаров земли в Форт-Уорте (шт. Техас), приобретенные в 1997 г. под создание новых производственных мощностей: переход на новую производственную технологию и намеченная модернизация уже имеющихся у Intel мощностей побудили компанию отказаться от планов строительства на упомянутом участке.

версия для печати