
		Пресс-релизы / Июль 2006

RSS-лента

Новости

Пресс-релизы

Поиск по компаниям


Расширенный поиск
Обзоры сети

Архив пресс-релизов

2002 г

2003 г

2004 г

2005 г

2006 г

янв	фев	мар	апр
май	июн	июл	авг
сен	окт	ноя	дек
июль

2007 г

2008 г

2009 г

2010 г

2011 г

2012 г

2013 г

Пресс-релизы

26 июля 2006 г

Intel и Micron представили первые в отрасли модули флэш-памяти класса NAND на базе 50-нанометровой производственной технологии

25 июля корпорации Micron Technology и Intel объявили о выпуске первых в отрасли опытных образцов модулей флэш-памяти класса NAND на базе передовой 50-нанометровой производственной технологии, продемонстрировав свое стремление к технологическому лидерству. Эти образцы изготовлены совместным научно-производственным предприятием IM Flash Technologies, созданным корпорациями Micron и Intel. В настоящее время обе компании выпускают 4-гигабитные модули и планируют в 2007 г. наладить массовое производство модулей различной емкости на базе 50-нанометровых элементов.

Переход к 50-нанометровой производственной технологии позволит корпорациям Intel и Micron удовлетворить растущий спрос на модули флэш-памяти класса NAND повышенной емкости, предназначенные для широкого спектра вычислительных устройств и бытовой электроники, таких как цифровые музыкальные плееры, съемные накопители и переносные коммуникационные устройства. Согласно отраслевым прогнозам, объем рынка NAND-устройств в 2006 г. оценивается в 13-16 миллиардов долларов США, а к 2010 г. этот показатель достигнет уровня 25-30 миллиардов долларов США.

«Корпорация Micron занялась производством памяти класса NAND в 2004 г., тогда мы использовали 90-нанометровую производственную технологию. Буквально за несколько лет благодаря сотрудничеству с корпорацией Intel мы смогли наладить выпуск передовых модулей памяти на базе самой современной производственной технологии, – сказал Брайан Ширли (Brian Shirley), вице-президент корпорации Micron по выпуску модулей памяти. – Micron продолжит свои работы в области NAND: быстрый переход на 50-нанометровую производственную технологию и постоянная работа по совершенствованию элементов позволят создать модули еще более высокой емкости».

«Наш выход на рынок флэш-памяти класса NAND был невероятно стремительным, – поделился Брайан Харрисон (Brian Harrison), вице-президент и руководитель подразделения Flash Memory Group корпорации Intel. – Мы начали поставки модулей памяти своим заказчикам в первом квартале текущего года и наблюдаем очень высокий спрос на модули флэш-памяти различной емкости. Сотрудничество с корпорацией Micron позволило нам быстро перейти к использованию 50-нанометровой производственной технологии и пойти дальше».

В январе корпорации Micron и Intel создали компанию IM Flash Technologies (IMFT) для производства элементов флэш-памяти класса NAND. С самого начала своей деятельности предприятие IMFT интенсивно наращивает производственные мощности. В настоящее время флэш-память класса NAND для IMFT производится на заводе корпорации Micron в Бойсе, до конца года фабрика Micron в Манассасе (штат Виргиния), выпускающая продукцию на базе 300-миллиметровых подложек, также начнет поставлять элементы NAND для компании IMFT. Также ожидается, что фабрика в Леи (штат Юта), которая принадлежит компании IMFT и служит ее штаб-квартирой, сможет начать выпуск элементов NAND в начале следующего года.

версия для печати