30 августа 2004 г.
Компания Intel вплотную приблизилась к серийному производству чипов по 65-нанометровому технологическому процессу.
Свои достижения в разработке 65-нанометровго технологического процесса изготовления микросхем Intel продемонстрировала на чипе памяти SRAM емкостью 70 Мб. В этой микросхеме площадью 110 кв. мм, состоящей из более чем полмиллиарда транзисторов, специалисты Intel воплотили усовершенствованные версии технологий, использованных в ранее представленном 65-нанометровом образце SRAM.
Новое поколение технологии "напряженного кремния" позволяет увеличить быстродействие транзисторов на 10-15 % без повышения токов утечки. По сравнению с 90-нанометровыми чипами это также позволяет снизить токи утечки в четыре раза при той же производительности.
Дополнительное повышение производительности и уменьшение энергопотребления обеспечиваются за счет уменьшенной до 35 нм длины затвора и толщины его оксидного слоя всего 1,2 нм. Кроме того, в новом технологическом процессе используется диэлектрик с низкой диэлектрической проницаемостью (low-k), а также дополнительные транзисторы, блокирующие электрический ток к незадействованным в текущий момент блокам памяти.
Серийный выпуск микросхем с использованием 65-нанометрового технологического процесса Intel планирует начать уже в следующем году на заводе D1D в штате Орегон. К концу 2005 года новая производственная технология, возможно, будет внедрена еще на двух заводах компании.
|
