22 декабря 2003 г.
Ученые получили новые доказательства того, что углеродные нанотрубки могут послужить эффективной заменой кремнию в полупроводниковых микросхемах.
Специалисты Мэрилендского университета установили, что углеродные нанотрубки обладают гораздо лучшими электропроводящими свойствами при комнатной температуре, чем любые другие известные науке полупроводниковые материалы. В частности, ученым удалось создать группу углеродных нанотрубок с подвижностью носителя заряда на четверть более высокой, чем у предыдущего рекордсмена антимонида индиума, и в 70 раз более высокой, чем у кремния в стандартных микросхемах.
Благодаря высокой подвижности носителей заряда нанотрубки смогут стать основой для гораздо более мощных транзисторов, отмечают исследователи. По их прогнозам, уже через год на базе этих материалов можно будет создать транзистор с частотой переключения около 1 ТГц.
|
