19 сентября 2002 г.

Компания Intel сообщила подробности о своей новой разработке – трехмерном транзисторе.

    Экспериментальный дизайн транзистора, получившего название Tri-Gate, представлен в Японии на конференции International Solid State Device and Materials. В его основе лежит трехмерная структура, представляющая "микробрусок", который с трех сторон облегают изолятор и проводник затвора. Такая структура позволяет протекать электрическим зарядам как по верхней части "бруска", так и по обеим его вертикальным сторонам. "Микробрусок" превращается в исток (сток) за пределами затвора. А увеличенная таким образом "ширина" затвора, доступная для прохождения заряда, дает возможность пропускать на 20 % больше тока по сравнению с традиционной "плоской" конструкцией, занимающей аналогичную площадь.

    В Tri-Gate использованы элементы технологии TeraHertz, представленной специалистами Intel в декабре прошлого года. Тройной затвор строится на сверхтонком слое полностью обедненного кремния, уменьшающего ток утечки закрытого транзистора. Он имеет наращенные сток и исток, позволяющие избежать роста сопротивления при уменьшении размеров транзистора. Кроме того, в новом транзисторе может использоваться диэлектрик High K, дополнительно снижающей ток утечки затвора.

    Еще одним преимуществом транзисторов Tri-Gate является то, что выпускать микросхемы на их базе можно будет с помощью существующего оборудования. Кроме того, можно строить структуры из нескольких "брусков" Tri-Gate, формируя силовые транзисторы.

    Исследования Intel в области транзисторов с трехмерной структурой находятся на начальном этапе. Однако, по словам специалистов компании, их первые результаты обнадеживают. Реального воплощения этой технологии можно будет ожидать во второй половине нынешнего десятилетия.

    В последнее время интерес к транзисторам c трехмерной структурой проявляют многие компании. Например, на прошлой неделе AMD и IBM анонсировали двухзатворные транзисторы FinFET.