10 сентября 2002 г.

Компании AMD и IBM независимо друг от друга сообщили о достижениях в сфере разработки двухзатворных транзисторов FinFET.

    Новый транзистор AMD стал результатом ее сотрудничества с учеными Калифорнийского университета и консорциумом Semiconductor Research. Это устройство имеет длину затвора 10 нанометров (предыдущий рекорд миниатюризации принадлежал компании Intel). Дизайн FinFET предполагает использование особой кремниевой структуры ("fin") для уменьшения токов утечки. В конечном счете это позволяет снизить энергопотребление и увеличить быстродействие микросхем. По заявлению AMD, использование FinFET приблизит появление чипов, имеющих миллиард транзисторов.

    Одновременно о создании микросхемы статического ОЗУ, в которой используется технология FinFET, объявила IBM. Так же как и AMD, эта компания не сообщает пока подробностей о своих FinFET-транзисторах. Обе обещают представить более полную информацию в декабре этого года на форуме International Electron Devices Meeting.