Корпорация Intel построит в Китае фабрику по производству микросхем на основе 300-мм кремниевых подложек

На строительство Fab 68 в Даляне будет инвестировано 2,5 миллиарда долл.

Корпорация Intel обнародовала свои планы по строительству новой фабрики по производству микросхем на базе 300-мм кремниевых подложек, которая будет располагаться на северо-востоке Китая в городе Далянь (провинция Ляонинь). На строительство новых производственных мощностей, которые получили название Fab 68, выделено 2,5 миллиарда долл. Это предприятие станет первой фабрикой Intel по производству микросхем в азиатском регионе.

«Китай является для нас одним из самых быстро растущих рынков. Мы придаем очень большое значение инвестициям в развивающиеся рынки, чтобы подготовить условия для будущего роста и улучшения обслуживания наших клиентов, – заявил Пол Отеллини (Paul S. Otellini), президент и главный исполнительный директор корпорации Intel. – Fab 68 станет нашей первой фабрикой за последние 15 лет, которая будет построена в новом месте. Корпорация Intel присутствует на рынке Китая уже более 22 лет. За это время общая сумма инвестиций в мощности по упаковке и тестированию продукции, а также в исследования и разработки превысила 1,3 миллиарда долл. Благодаря нашим капиталовложениям в строительство новой фабрики эта сумма достигнет почти 4 миллиардов долл., тем самым корпорация Intel станет одним из самых крупных иностранных инвесторов в Китае».

С 1992 года — когда была построена фабрика Fab 10 в Ирландии — корпорация Intel еще ни разу не создавала производств с нулевого цикла в совершенно новых географических регионах. Строительство Fab 68 начнется уже в текущем году, а начало производства запланировано на первую половину 2010 года. Планируется, что первоначально на Fab 68 будут производиться наборы микросхем для поддержки работы основной продукции Intel – микропроцессоров.

«За последние годы это самый крупный совместный проект Китая и США в области производства интегральных схем. Он в очередной раз подтверждает тот факт, что [Intel #20734] занимает передовые позиции в мировой полупроводниковой отрасли. В то же время инвестиции в Далянь окажут благотворное влияние на развитие экономики региона, а также на развитие высокотехнологичных производств в северо-восточном Китае, где располагается одна из старейших промышленных зон, – считает Жанг Сяокьянг (Zhang Xiaoqiang), заместитель председателя Национальной комиссии развития и реформ Китая. – Мы приглашаем к сотрудничеству Intel и другие транснациональные корпорации для развития бизнеса в Китае. Мы поддерживаем инициативу Intel по расширению и углублению сотрудничества в ключевых областях, таких как обучение талантливой молодежи, создание технологических стандартов, разработка информационных технологий для сельских районов и медицинских учреждений. Эта совместная деятельность приносит ощутимые выгоды как самой корпорации Intel, так и информационной индустрии Китая. Вместе мы добьемся поставленных целей».

Мэр города Далянь Ся Дерен (Xia Deren) отметил: «Так как наш город расположен на побережье, то это дает множество географических преимуществ. Кроме того, он располагает развитой инфраструктурой, что привлекает в наш регион иностранных инвесторов. Мы очень рады, что корпорация Intel выбрала именно наш город для строительства новой фабрики по производству микросхем. Эти инвестиции будут не только способствовать социальному и экономическому развитию Даляня, но и окажут значительное положительное воздействие на экономическую и промышленную структуру всего северо-восточного Китая».

После завершения строительства Fab 68 вольется в сеть производственных мощностей Intel, которая к 2010 году будет насчитывать восемь фабрик по производству микросхем на основе 300-мм кремниевых подложек. Другие заводы, которые работают по этой технологии, находятся в США, Ирландии и Израиле. Использование 300-мм кремниевых подложек позволяет значительно увеличить объем производства полупроводниковых микросхем и снизить их себестоимость по сравнению с использованием традиционных 200-мм (восьмидюймовых) подложек. Увеличение диаметра подложек позволяет сократить производственные затраты в расчете на одну микросхему и снизить общее количество используемых ресурсов. Например, на фабриках, которые выпускают продукцию на базе производственной технологии с применением 300-мм кремниевых подложек, расходуется на 40% меньше электроэнергии и воды на одну микросхему по сравнению с производствами, на которых используются 200-мм подложки.