IBM представляет технологию On-Chip Dynamic Memory для самой быстродействующей оперативной памяти в мире

Прогрессивное технологическое решение «система на одной микросхеме» (system-on-a-chip) повышает производительность многоядерных процессоров, графической подсистемы и сетей при уменьшении энергопотребления

Сегодня на ежегодной международной конференции по интегральным схемам International Solid State Circuits Conference (ISSCC) корпорация [IBM #20084] представила первую в своем роде технологию «внутрикристалльной памяти» (on-chip memory), которая демонстрирует наилучшие показатели времени доступа, когда-либо зафиксированные для eDRAM (embedded Dynamic Random-Access Memory) – встроенной динамической памяти с произвольным доступом.

Новая технология, разработанная с использованием фирменной методики IBM «кремний на изоляторе» (Silicon-on-Insulator, SOI) в целях обеспечения высоких уровней производительности при низком энергопотреблении, позволяет значительно увеличить быстродействие многоядерных микропроцессоров, а также ускорить обработку мультимедийных данных и передачу данных по сетям.

Эта технология, коммерческое применение которой ожидается в начале 2008 г., станет ключевым элементом стратегии IBM по развитию поколения микропроцессоров, произведенных по 45-нм технологии.

Новая микросхема eDRAM, созданная IBM по 65-нанометровым нормам SOI с применением метода изоляции с глубокими канавками (deep trench), приблизительно на треть улучшает показатели производительности процессорной памяти и на одну пятую – потребляемой мощности в режиме ожидания – по сравнению со стандартной технологией статической памяти SRAM.

«Используя это передовое решение в области микропроцессоров и памяти, IBM эффективно удваивает производительность процессора по сравнению с показателями, которые достигаются с помощью классического масштабирования процессорных ресурсов, – отметил д-р Субраманиан Ийэр (Subramanian Iyer), Заслуженный инженер IBM и директор группы развития 45-нанометрового технологического процесса производства микросхем. – Поскольку полупроводниковые компоненты достигли размеров нескольких атомов, классическое материаловедение уступило место инновационному проектированию на микроэлектронном уровне как ключевому фактору, продлевающему действие закона Мура. Сегодняшнее сообщение является еще одним свидетельством лидерства IBM на одном из важнейших направлений развития микропроцессорных технологий».

Инновационная деятельность корпорации IBM в области микроэлектроники и ее новаторская технология «системы на одной микросхеме» преобразовали мир полупроводниковых компонентов. Среди выдающихся достижений IBM в этой области: применение в качестве диэлектрика затвора полупроводникового транзистора материала с высокой диэлектрической постоянной (high-k), что позволит улучшить характеристики транзисторов (в частности, уменьшить токи утечки из затвора) и, тем самым, снизить технологические нормы производства микросхем; двухядерные и многоядерные микропроцессоры; медные межсоединения на кристаллах; технология «кремний на изоляторе» (SOI) и кремниево-германиевые транзисторы; технология «напряженного кремния»; eFUSE – технология самонастраивающихся чипов, позволяющая создавать процессоры, которые будут автоматически менять собственную конфигурацию, реагируя на изменение внешних условий или системных требований. Четыре десятилетия плодотворной работы и новаторства корпорации IBM в области микроэлектроники и полупроводников были отмечены высшей государственной наградой США за технологические достижения – медалью National Medal of Technology.

Микросхемы IBM являются ключевыми компонентами серверов компании и систем хранения данных, самых быстрых в мире суперкомпьютеров, широко применяемых коммуникационных устройств и продуктов потребительской электроники.

Характеристики памяти eDRAM

Некоторые характеристики разработанной IBM технологии быстродействующей памяти eDRAM:

Размер ячейки: 0,126 кв. мм

Рабочее напряжение питания: 1В

Готовность: 98,7%

Микроядро: 1K RowX16 Col X146 (2МБ)

Потребляемая мощность переменного тока: 76 мВт

Потребляемая мощность в режиме ожидания: 42 мВт

Цикл произвольной выборки: 2 нс

Время ожидания: 1,5 нс