Игра по-крупному Цена перестает быть главным фактором при выборе ноутбука Сетевые итоги


RSS-лента

 
Новости
Пресс-релизы

Поиск по компаниям

 
Расширенный поиск

Архив пресс-релизов

 

2002 г
2003 г
2004 г
2005 г
2006 г
янв фев мар апр
май июн июл авг
сен окт ноя дек

декабрь

Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
1 2 3
4 5 6 7 8 9 10
11 12 13 14 15 16 17
18 19 20 21 22 23 24
2007 г
2008 г


    





http://icc.com.ua
© ICC. Перепечатка допускается
только с разрешения .





  

Пресс-релизы

 

18 декабря 2006 г

AMD и IBM сообщают о первых результатах использования иммерсионной литографии и изоляторов со сверхнизкой проницаемостью (Ultra Low-K) при производстве микросхем на основе 45-нанометровой технологии

Передовые технологии повышают производительность и эффективность микропроцессоров, упрощая их проектирование и производственный процесс.

На международной конференции по электронным устройствам IEDM (International Electron Devices Meeting) компании IBM и AMD представили результаты использования иммерсионной литографии, изоляционных материалов со сверхнизкой проницаемостью и усовершенствованных технологий «напряженного кремния» для производства микропроцессоров нового поколения на основе 45-нанометрового технологического процесса. AMD и IBM планируют, что первая продукция на основе 45-нанометровой технологии с использованием иммерсионной литографии и изоляторов со сверхнизкой проницаемостью (Ultra Low-K) появится в середине 2008 года.

«Компании AMD and IBM первыми объявили об использовании иммерсионной литографии и изоляционных материалов со сверхнизкой проницаемостью при производстве продукции на основе 45-нанометровой технологии. Тем самым компании продолжают делать заметный вклад в развитие инноваций в области микропроцессорных технологий»,- говорит Ник Кеплер (Nick Kepler), вице-президент AMD по разработке технологий производства логических схем. - Иммерсионная литография позволит нам удовлетворить более жесткие технические требования при производстве микропроцессоров и усовершенствовать производственный процесс, что будет способствовать выпуску передовой в отрасли продукции в соответствии с потребностями наших клиентов. Изоляционные материалы со сверхнизкой проницаемостью повысят удельную производительность-на-ватт потребляемой энергии у наших процессоров, от чего опять же выиграют наши клиенты. Объявление результатов по использованию этих технологий является еще одним доказательством плодотворного сотрудничества IBM и AMD в области исследований и разработок».

В современном технологическом процессе используется традиционная литография, имеющая существенные ограничения при переходе за пределы 65-нанометровой проектной нормы. В иммерсионной литографии пространство между линзами литографической системы и кремниевой подложкой, содержащей сотни микропроцессоров, заполняется прозрачной жидкостью, что позволяет повысить разрешающую способность при переносе изображения шаблона схемного решения. В результате улучшается производительность микросхем и повышается эффективность их производства. Технология иммерсионной литографии даст AMD и IBM бесспорные преимущества по сравнению с конкурентами, которые не имеют разработок по внедрению этой технологии для производства микропроцессоров по 45-нанометровому процессу. Например, благодаря иммерсионной литографии эффективность ячейки памяти SRAM повышается на 15% без применения дорогостоящего метода двукратного экспонирования.

Кроме того, использование изоляционных материалов со сверхнизкой проницаемостью для уменьшения емкостного сопротивления и задержки распространения сигналов в проводных соединениях является важнейшим шагом для дальнейшего повышения производительности процессоров и снижения рассеиваемой мощности. Это достижение стало возможным благодаря внедрению изолятора с низкой диэлектрической постоянной без ущерба для механической прочности микросхемы. Кроме того, использование изоляторов со сверхнизкой проницаемостью снижает задержку распространения сигналов в проводных соединениях на 15% по сравнению с обычными изоляторами с низкой проницаемостью.

«Использование иммерсионной литографии и изоляторов со сверхнизкой проницаемостью является одним из первых примеров успешного внедрения наших фундаментальных научных исследований, проведенных в центре Albany Nanotech Center университета Олбани, в производственный процесс сверхсовременных фабрик 300-миллиметровых кремниевых пластин IBM в Ист-Фишкилле, штат Нью-Йорк, так же как и в производственный процесс 300-миллиметровых кремниевых пластин AMD в Дрездене, Германия, - отмечает Гэри Пэттон (Gary Patton), вице-президент по разработкам технологий, Центр научных исследований и разработок полупроводниковых устройств, IBM. - Успешная интеграция передовых технологий с AMD и другими нашими партнерами демонстрирует преимущества нашей инновационной модели сотрудничества».

Совместная работа AMD и IBM над совершенствованием технологии «напряженного кремния» позволила продолжить масштабирование производительности транзисторов и в то же время уменьшить геометрические размеры полупроводниковых компонентов при переходе на 45-нанометровый технологический процесс. Не смотря на повышение плотности компоновки транзисторов, изготовляемых по 45-нанометровой технологии, компании IBM и AMD добились увеличения на 80% управляющего тока в p-канальном транзисторе и на 25% в n-канальном транзисторе по сравнению с транзисторами, не использующими технологию «напряженного кремния». Это наилучший результат по производительности, достигнутый на сегодня для комплементарных металло-оксидных полупроводников (CMOS), изготовляемых по 45-нанометровой технологии.

IBM и AMD начали совместную разработку технологий производства полупроводников нового поколения в январе 2003 г. В ноябре 2005 года компании объявили о расширении направлений своего сотрудничества в различных областях до 2011 года, включая разработку 32- и 22-нанометровых технологических процессов.

версия для печати

Еще о деятельности компаний в Украине

AMD, представительство

IBM, представительство в Украине


SMS

 

Сообщите коллегам о последних новостях, пресс-релизах и сведениях из Каталога компаний через наш SMS-гейт.


Смотрите также

 

11 марта 2008 г

 • В СНГ стартует Deepmemo.com - веб 2.0 сервис для хранения цитат.
 • Специалист по обслуживанию клиентов «Beeline» стал лауреатом Международной награды «Хрустальная гарнитура»
 • Технология BIM от Graphisoft становится доступнее
 • Freenet подключился к Portmone.com
 • Ученые IBM «успокаивают» «буйные» электроны в атомарных слоях графита
 • МТС-Украина расширяет возможности услуги «Ваши помощники»
 • Компания Huawei продемонстрировала мобильные, широкополосные ALL IP и конвергентные решения на выставке CeBIT 2008
 • Десна стала мобильной
 • Начались поставки и внедрение на территории России Citrix XenDesktop
 • «Квазар-Микро» построила инженерную инфраструктуру Банка «Дельта»

Реклама

 


Рубрики

 

© ITware 2000-2008

Лови его Лови!