26 января 2005 г

Samsung начала выпуск оперативной памяти нового поколения

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства микросхем памяти XDR DRAM.

По заявлению Samsung, выпущенные ею чипы XDR DRAM емкостью 256 Мб имеют пропускную способность 8 МБ/с – в десять раз большую, чем у памяти DDR 400.

В первой половине этого года Samsung планирует начать выпуск микросхем XDR DRAM емкостью 512 Мб. Пропускная способность у этих чипов составит 12,8 ГБ/с.

Помимо Samsung, лицензии на выпуск микросхем XDR DRAM имеют Toshiba и Elpida. Ожидается, что эти чипы найдут применение в различных устройствах, включая игровые консоли Sony PlayStation нового поколения.