3 сентября 2003 г

IBM развивает симбиоз транзисторных технологий

Благодаря комбинации транзисторных технологий, раньше считавшихся несовместимыми, энергопотребление беспроводных устройств снизится в несколько раз, сообщают специалисты IBM.

Исследователям IBM впервые удалось реализовать биполярные кремний-германиевые схемы (SiGe) на подложке, изготовленной по технологии "кремний на изоляторе" (SOI). Таким образом, на одном кристалле можно будет размещать высокоскоростные коммуникационные SiGe-схемы вместе с блоками логики КМОП, усиленными SOI.

По оценкам IBM, комбинированные чипы позволят в пять раз снизить энергопотребление или в четыре раза увеличить производительность беспроводных устройств. Серийное производство этих микросхем может начаться уже в ближайшие пять лет.