3 сентября 2003 г

Samsung сделала новый шаг в миниатюризации памяти

Компания Samsung Electronics представила микросхемы DRAM и флэш-памяти NAND, изготовленные по более "тонким" технологическим процессам.

Чипы флэш-памяти NAND емкостью 4 Гб компания Samsung изготовила по 70-нанометровому технологическому процессу. В ячейках площадью 0,025 кв. мкм были использованы вольфрамовые затворы толщиной 30 нм, что позволило снизить внутренне сопротивление ячейки. По словам Samsung, новые вольфрамовые затворы могут использоваться и в 50-нанометровом технологическом процессе.

Новые микросхемы DRAM выпущены по 80-нанометровому технологическому процессу с использованием технологии Recess Channel Array Transistor (RCAT) и материалов high-k для снижения рабочего напряжения ниже отметки 1,5 В. В серийное производство поступят чипы емкостью 512 Мб и 1 Гб, поддерживающие скорость обмена данными до 3 Гб/с.

Кроме того, Samsung анонсировала память Fusion, объединяющую на одном чипе флэш-память NAND и логический интерфейс. По замыслу разработчиков, Fusion должна заменить флэш-память NOR с другими комбинациями типов памяти.

Когда представленные микросхемы поступят в серийное производство, компания пока не сообщает.