26 мая 2014 г

Начал работу завод Samsung по производству модулей памяти

Компания Samsung Electronics объявила о том, что новая производственная линия чипов памяти в Сиане (Китай) начала полноценную работу. Новый завод будет производить современные чипы флеш-памяти NAND – 3D V-NAND.

Вице-президент и генеральный директор Samsung Electronics О-хьюн Квон (Oh-hyun Kwon) посетил мероприятие, посвященное вводу фабрики в эксплуатацию, где также присутствовали: Чжао Чжэньюн (Zhao Zhengyong), секретарь комитета коммунистической партии Китая в провинции Шэньси, Лу Циндзянь (Lou Qinjian), председатель правительства провинции Шэньси, и ЯнСе Квон (Young-se Kwon), посол Республики Корея в Китайской Народной Республике. В числе гостей были также представители деловых партнеров Samsung.

Завод был построен всего за 20 месяцев – первый камень был заложен представителями Samsung в сентябре 2012 года. Общая площадь помещений – составляет 230 тыс. кв. м. Весь комплекс расположен на участке площадью 1,14 млн кв. м.

Лу Циндзянь (Lou Qinjian), председатель правительства провинции Шэньси поздравил представителей компании Samsung Electronics и отметил, что открытие новой фабрики в Сиане свидетельствует об эффективности партнерства между Китаем и Кореей. Также он пообещал постоянную поддержку властей провинции.

Запустив фабрику в Сиане, Samsung обеспечил себе прочную производственную базу по производству чипов памяти в Китае, где на сегодняшний день выпускается примерно половина флэш-памяти NAND, производимой в мире, в том числе и другими ИТ-компаниями. Это также заложило прочную основу для стабильных поставок чипов памяти партнерам и клиентам во всем мире.

До конца года Samsung планирует полностью завершить строительство комплекса в Сиане, в который войдут сборочная и тестовая линии.