Samsung начинает выпуск чипов NAND флеш-памяти с трехбитной архитектурой MLC

Samsung Electronics заявила о том, что она первой в отрасли начала массовое производство микросхем флеш-памяти NAND с трехбитной архитектурой многоуровневых ячеек (MLC).

Как указывается в сообщении пресс-службы корейской компании, с конца ноября такие микросхемы выпускаются по техпроцессу 30 нм. Эти чипы будут использоваться во флеш-модулях NAND в сочетании с фирменными контроллерами памяти NAND с трехбитными ячейками. Вначале на базе таких флеш-модулей Samsung планирует выпускать карты памяти micro Secure Digital (microSD) емкостью 8 ГБ.

Согласно данным Samsung, микросхемы памяти NAND с трехбитной многоуровневой архитектурой ячеек повысят эффективность накопителей на базе NAND на 50 % по сравнению с двухбитными чипами MLC NAND.