14 октября 2003 г.

Компания Intel предлагает альтернативу памяти NAND в мобильных устройствах, работающих с большими объемами данных.

    Сейчас в большинстве мультимедийных сотовых телефонов и других мобильных устройствах флэш-память NAND используется для хранения данных, а NOR √ для программных кодов. Компания Intel представила решение, которое, по ее мнению, может полностью вытеснить NAND, "завязав" память устройств на флэш-памяти NOR.

    Разработанный компанией продукт √ StrataFlash Wireless Memory System √ объединяет в одном корпусе четыре микросхемы памяти NOR общей емкостью 1 Гб и, по желанию заказчика, чип памяти DRAM, SRAM или псевдо-RAM. По словам Intel, устройство способно работать как с большими объемами кода, так и данных, что позволяет использовать его в телефонах со встроенными фотокамерами и других требовательных к памяти устройствах.

    У NOR-инициативы Intel есть мощные оппоненты в лице Samsung, Toshiba и ряда других производителей флэш-памяти, которые считают, что будущее сотовых телефонов за решениями исключительно на памяти NAND.

    Поставки промышленных образцов StrataFlash Wireless Memory System уже начались. Серийный выпуск этих устройств начнется в феврале следующего года.