14 мая 2003 г.

Специалисты компании Nantero создали на основе углеродных нанотрубок сверхбыстрый чип памяти емкостью 10 Гб, и это, как они заявляют, далеко не предел.

    Компания Nantero, разрабатывающая энергонезависимую память NRAM (nonvolatile RAM), объявила о создании опытного образца емкостью 10 Гб, причем скорость доступа этого чипа составляет всего 0,5 нс. Этот тип памяти строится на основе слоя углеродных нанотрубок, нанесенных на кристалл кремния. Под воздействием электрического поля нанотрубки поднимаются или опускаются относительно поверхности кристалла, меняя состояние ячейки на "1" или "0" соответственно.

    Одной из основных проблем, с которой сталкиваются разработчики продуктов на базе углеродных нанотрубок √ это крайне сложный процесс их размещения в нужной последовательности. Исследователи Nantero обошли это препятствие, нанося трубки на кристалл "как есть", а затем выжигая неровности в структуре литографическим оборудованием. Это позволяет производить память NRAM, используя существующие линии по выпуску кремниевых чипов.

    Специалисты Nantero считают, что NRAM заменит все существующие типы памяти, благодаря рекордно малому времени доступа и высочайшей плотности записи, которая, как они заявляют, на данный момент ограничена только разрешающей способностью литографического оборудования.