14 мая 2003 г.

Компания Hynix объявила о запуске в серийное производство чипов памяти SDRAM по 0,10-микронному технологическому процессу.

    Первыми с 0,10-микронных производственных линий Hynix сойдут микросхемы памяти DDR и DDR2 емкостью 512 Мб. А во второй половине года компания планирует начать выпуск гигабитных чипов DDR2 и чипов флэш-памяти NAND емкостью 512 Мб.

    Ожидается, что к концу года уже около 20 % чипов Hynix будет производится по 0,10-микронному технологическому процессу.