7 февраля 2003 г.

Компания Motorola планирует представить новые методы производства модулей флэш-памяти высокой емкости.

    Motorola работает над двумя новыми технологиями, которые потенциально позволят создавать флэш-карты, имеющие большой объем, высокую производительность и малое энергопотребление.

    В первой технологии, получившей название SONOS (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon), вместо кремния для изготовления флэш-памяти используется нитрит кремния. По словам Motorola, это позволяет в десять раз уменьшить толщину плавающего затвора ячейки и, таким образом, уменьшить ее размеры и энергопотребление без снижения производительности и надежности. Немаловажно то, что память по технологии SONOS может производиться на существующем оборудовании.

    Вторая технология √ кремниевых нанокристаллов √ базируется на сходных принципах, но использует другой материал. Компания рассчитывает представить первые образцы чипов, изготовленных по новым технологиям, в 2004 году.