28 января 2003 г.

Компания Samsung Electronics представила микросхему памяти SRAM с самой высокой на сегодняшний день скоростью обмена данными.

    В основе нового продукта лежит технология DDR3 SRAM, обеспечившая ему скорость обмена данными 1,5 Гб/с. Как сообщает Samsung, на сегодняшний день это самый высокий показатель для чипов SRAM. Микросхема имеет емкость 72 Мб и рабочее напряжение 1,2 В. По предварительным данным, она изготовлена по 90-нанометровому технологическому процессу с использованием традиционных методов литографии. Более подробную информацию представители компании обещали предоставить на международной конференции ISSCC в Сан-Франциско.

    Ожидается, что массовое производство чипов по технологии DDR3 SRAM начнется во второй половине 2003 года. Первоначально их планируется использовать в высокопроизводительных серверах и рабочих станциях.