15 ноября 2002 г.

Немецкий производитель чипов Infineon Technologies и тайванская компания Nanya Technology объявили о создании совместного завода по производству памяти DRAM.

    Компания Infineon продолжает вести тактику разделения с тайванскими партнерами затрат на наращивание производства. Немецкий производитель заключил соглашение с Nanya о совместной разработке 90- и 70-нанометрового технологического процесса для памяти DRAM на 300-миллиметровых подложках. Кроме того, компании объявили о создании на Тайване совместного предприятия по производству разрабатываемой DRAM-памяти. Производственные технологии будут создаваться инженерами обеих компаний в дрезденском отделении Infinеon.

    Производство на совместном заводе будет запущено уже в конце 2003 года. Его развитие будет проходить в два этапа. Ко второй половине 2004 года, по завершению первого этапа, ожидаемая мощность предприятия составит около 20 тыс. подложек в месяц. Второй этап закончится в середине 2006 года с ожидаемой мощностью 50 тыс. подложек в месяц, что поставит это совместное предприятие в ряд крупнейших заводов мира.

    Общий объем необходимых инвестиций в этот проект оценивается в $2,2 млрд. На первом этапе компании вложат в него по $550 млн. Как заявляют представители Nanya и Infinion, совместное производство поможет им серьезно улучшить свои позиции на рынке памяти DRAM.