21 октября 2002 г.

Компания Samsung Electronics представила энергонезависимое ферроэлектрическое запоминающее устройство, ориентированное на мобильные телефоны и карманные ПК.

    Выпущенная Samsung Electronics микросхема FRAM (Ferroelectric RAM) имеет емкость 4 Мб. Ее рабочее напряжение составляет 3 В, а время доступа к данным – 80 нс. В чипе использованы однотранзисторные ячейки памяти. Причем площадь каждой ячейки составляет 0,94 кв. мкм – на три четверти меньше, чем у памяти SRAM.

    Не исключено, что благодаря высокой скорости доступа к информации и способности хранить ее при отключенном питании ферроэлектрическая память в перспективе придет на смену памяти RAM. Сейчас это невозможно из-за малой емкости микросхем FRAM. Однако статическую SRAM новые микросхемы могут заменить уже сегодня. Samsung планирует использовать эти чипы при выпуске смартфонов, карманных ПК и других портативных устройств.