12 марта 2002 г.

Intel продемонстрировала 52-мегабитное статическое ОЗУ, изготовленное по 90-нанометровой технологии. На кристалле площадью менее 110 кв. мм разместилась треть миллиарда транзисторов. По планам компании, эта технология позволит к 2007 г. создать микропроцессор, содержащий более миллиарда транзисторов.

    Представляя новое достижение компании Intel, руководитель технологического подразделения Марк Бор (Mark Bohr) сделал акцент на полной готовности технологии к производству процессоров. С одной стороны, изготовленная микросхема получена на реальном производстве, на недавно пришедшем стандарте 300-миллиметровых пластин. С другой, статическое ОЗУ проектируется и создается по тем же правилам и технологиям, что и микропроцессоры, и это позволяет говорить о технологической готовности к их производству. При изготовлении продемонстрированной микросхемы используются те же приемы производства и конструирования, что и при создании последних поколений микропроцессоров, включая семь слоев для размещения соединений, выполняемых с помощью медных проводников (в применяемой сегодня 0,13-микронной технологии – только шесть слоев для размещения соединений).

    Первым продуктом, который планируется к выпуску по 90-нанометровой технологии в коммерческих объемах во втором полугодии 2003 г., будет очередной процессор в ряду Pentium с архитектурой NetBurst под кодовым названием Prescott. Он, наряду с прочими особенностями, будет включать технологию Hyper-Threading, позволяющую операционной системе работать на однопроцессорных системах так, как будто бы это двухпроцессорная архитектура, что позволит значительно повысить производительность системы в целом.

    Как всегда переход на более "мелкую" технологию позволит также уменьшить площадь кристалла, а значит, и удешевить продукты, выпускавшиеся по более "крупным" технологиям. Разумеется, при этом вырастет их производительность и снизится энергопотребление.

    Немного подробностей. При производстве микросхем по новому процессу используется 193-нанометровая литография при создании критичных по точности слоев и 248-нанометровая в остальных слоях.

    Переход на 90-нанометровый процесс, именуется компанией P1262 (он будет сменять 0,13-микронный процесс Px60), запланирован с 2003 г. Хотя уже во второй половине этого года по новой технологии проведут изготовление экспериментальных процессоров.

    Новый процесс продержится до 2005 г., когда ему на смену придет, по планам Intel, P1264 с 65-нанометровой литографией и длиной затвора менее 35 нм. Кстати, длина затвора у анонсированного процесса менее 50 нм (здесь рассказывается о значении длины затвора для повышения быстродействия и его влиянии на другие параметры микросхемы, а также о достижениях Intel в этой области).

    И еще один рубеж, хотя и довольно условный, взят продемонстрированной микросхемой. Большим достижением проектировщиков является предельно малая площадь шеститранзисторной ячейки, хранящий один бит, – всего 1 кв. мкм, что почти на треть меньше, чем существовавший до анонса Intel`овской новинки рекорд. Таким образом, в распоряжении разработчиков не только новые технологические возможности, но и эффективные проектные решения. Столь малый размер ячейки – не просто предмет гордости: он позволяет увеличить размер кэш-памяти на кристалле процессора, что способствует заметному росту производительности системы.