12 декабря 2001 г.
Компания Samsung объявила о доступности пробных образцов 36-мегабайтных модулей памяти стандарта QDRII (Quad Data Rate II), DDRII (Double Data Rate II) и NtRAM (No Turnaround Random Access Memory), которые произведены по 0,15-микронному технологическому процессу.
Новая SRAM-память ориентирована на применение в сетевых продуктах, телекоммуникации и электронной обработке данных (EDP Electronic Data Processing).
36-мегабайтные QDRII- и DDRII-модули памяти от Samsung используют последние технологические достижения для обеспечения высокой производительности сетевых узлов и маршрутизаторов следующего поколения. Эти устройства поддерживают HSTL-логику (High Speed Transceiver Logic), позволяющую передавать и получать данные с тактовыми частотами вплоть до 250 МГц.
Чтобы удовлетворить запросы сетевых приложений, компания Samsung разработала большое разнообразие QDRII- и DDRII-модулей памяти, архитектуры которых можно условно разбить на пять различных типов по способам реализации пакетной выборки и организации чтения/записи: QDR Burst 2; QDR Burst 4; DDR common I/O, Burst 2; DDR common I/O, Burst 4 и DDR separate I/O, Burst 2.
QDRII- и DDRII-модули памяти Samsung поставляются в конфигурациях х8, х16 и х36. Оба типа имеют несколько схожих характеристик: напряжение питания 1,8 В, управление питанием, габариты 13 х 15 мм, FBGA форм-фактор, 165 выводов. Компания также предлагает QDRII-, DDRII- и NtRAM-модули памяти с напряжением питания 2,5 В и 3,3 В.
Образцы 0,15-микронных 36-мегабайтных QDRII-, DDRII- и NtRAM-модулей памяти доступны с декабря 2001 г. Массовое производство начнется в середине 2002 г. Текущая стоимость модулей: QDRII $110, DDRII $120, NtRAM $100.
Источник: CNews.ru
|
