11 декабря 2001 г.
Компания NEC сообщила о создании 0,13-микронной DRAM-технологии, использующей металл на всех стадиях процесса. Новая память может работать на скоростях до 450 МГц и использует питание 1,2 В.
Сейчас компания NEC ведет тестирование созданного по такой технологии 16-мегабитного чипа. За исключением изоляционной пленки, все материалы, используемые в процессе производства, металлические. Это позволит создавать микросхемы, которые могут заменить SRAM в коммуникационных и серверных приложениях. Первый образец появится в январе, а массовое производство намечено на лето 2002 г.
Новая технология принципиально лучше используемого сейчас NEC 0,15-микронного процесса создания eDRAM. Размер ячейки в такой микросхеме равен 0,331 кв. мкм вместо прежних 0,422 кв. мкм, новый техпроцесс позволяет уменьшить размер схем на 10 %, снижая при этом сопротивление в разрядных линиях схемы. При запуске в массовое производство размер ячейки будет увеличен до 0,35 кв. мкм.
Ранее NEC сообщала об альянсе с Atmos для использования встраиваемой DRAM-памяти в таких устройствах, как сетевые процессоры и др.
Источник: CNews.ru
|
