4 декабря 2001 г.
Компания Toshiba ведет работы по совершенствованию технологии Silicon-On-Nothing (SON), которая может послужить недорогой альтернативой изоляции SOI.
По утверждению Toshiba, ее специалистами создан и в настоящее время тестируется транзистор с размером затвора 0,14 мкм, в котором реализован новый тип изолирующего "слоя". Он представляет собой пузыреобразную полость в кремниевой основе под затвором, выполняющую те же функции, что и изоляция silicon-on-insulator. В настоящее время Toshiba удалось создать полость, занимающую 20 % площади под затвором транзистора. Если ее удастся увеличить, то SON обеспечит ту же производительность интегральных схем, что и SOI, однако со снижением издержек производства на 75 %.
К 2005 г. Toshiba намеревается использовать SON при выпуске микросхем по 0,05-микронной технологии. Подробную информацию о Silicon-On-Nothing компания представит на конференции International Electron Devices Meeting (IEDM) в Вашингтоне.
|
