Бесперебойный бизнес EDGE-CORE активизируется на телеком-рынке Украинский рынок ПК: квартальное замедление


RSS-лента

 
Новости
Пресс-релизы

Поиск по компаниям

 
Расширенный поиск

Поиск по сайту

 
Расширенный поиск



    


    





http://icc.com.ua
© ICC. Перепечатка допускается
только с разрешения .





  
 ITware :. Новости
Архив
Декабрь 2001
          1 2
3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14 15 16
17 18 19 20 21 22 23
24 25 26 27 28 29 30
31            
Ноябрь 2001
Октябрь 2001
Сентябрь 2001
Август 2001
Июль 2001
Июнь 2001
Май 2001
Апрель 2001
Март 2001
Февраль 2001
Январь 2001
архив за 2003 г.
архив за 2002 г.
архив за 2000 г.
AMD заявила о создании самого быстрого транзистора

3 декабря 2001 г.

Компания Advanced Micro Devices сообщила, что ею побит рекорд Intel в создании самого быстрого в мире транзистора.

    Официально представить новое устройство AMD намеревается на конференции International Electron Devices Meeting (IEDM), которая откроется в Вашингтоне на этой неделе. Оно имеет размер затвора 15 нм и способно выполнять 3,33 трлн операций переключения в секунду. Транзистор с тем же размером затвора был представлен компанией Intel в середине ноября. Он выполняет 2,68 трлн переключений в секунду.

    По утверждению AMD, к 2009 г. новые транзисторы станут основными "строительными блоками" ее процессоров, выпускаемых по 0,03-микронной технологии из 300-миллиметровых кремниевых пластин.




© ITware 2000-2007