27 ноября 2001 г.

Компания Samsung Electronics выпустила первую микросхему флэш-памяти NAND емкостью 256 Мб с 16-разрядным параллельным вводом/выводом, ориентированную на портативные устройства.

    Новая микросхема Samsung выпускается по 0,15-микронной технологии и имеет напряжение питания 1,8 В. Компактный дизайн, низкое энергопотребление и высокая производительность, обеспечиваемая 16-разрядным вводом/выводом, позволяют использовать этот чип при выпуске сотовых телефонов и других портативных устройств. 256-мегабитная микросхема NAND выпускается и как самостоятельный продукт, и в составе многокристальных модулей SDRAM или UtRam.