13 ноября 2001 г.

Компании SanDisk и Toshiba сообщили о создании образца NAND-микросхемы емкостью 1Гб, которая может размещать 2 бита в каждой ячейке памяти.

    Это стало возможным за счет использования технологии многоуровневых ячеек, которая позволяет размещать вдвое больше данных в 1-битной ячейке. Хотя и SanDisk, и Intel уже несколько лет применяют технологию многоуровневых ячеек для флэш-устройств NOR-типа, 1 Гб устройство является первым для NAND-типа флэш-памяти.

    NOR-память применяется для встроенных приложений, а NAND-тип, использующий меньшие по размеру ячейки, нацелен на пользовательский рынок, где используется как флэш-память для цифровых камер и т. д.

    Совместные разработки компаний SanDisk и Toshiba, направленные на использование технологии многоуровневых ячеек для NAND-памяти, начались в январе 2000 г. Главная трудность, с которой столкнулись разработчики, √ скорость записи информации.

    Поскольку при увеличении уровней ячейки запись в нее идет медленнее, то был разработан специальный чип, обеспечивающий большую скорость записи. Правда, достигнутая скорость записи еще недостаточна для использования этого типа памяти в устройствах, требующих высокую скорость записи, например профессиональных цифровых камерах. Для таких устройств компании продолжат работать над классическими флэш-устройствами и контроллерами со схемой "один-бит-на-ячейку", скорость которых должна на 30 % превысить нынешние образцы.
Источник: CNews.ru