ITware :. Новости
Архив
Декабрь 2001
Ноябрь 2001
Октябрь 2001
1 2 3 4 5 6 7
8 9 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30 31        
Сентябрь 2001
Август 2001
Июль 2001
Июнь 2001
Май 2001
Апрель 2001
Март 2001
Февраль 2001
Январь 2001
архив за 2003 г.
архив за 2002 г.
архив за 2000 г.
Infineon начала производство 256-мегабитной DRAM по 0,14-микронной технологии

19 октября 2001 г.

18 октября немецкая компания Infineon Technologies объявила о начале серийного производства чипов памяти по 0,14-микронной технологии DRAM объемом 256 Мб SDRAM.

    Кроме того, компания Infineon Technologies уже передала своим стратегическим партнерам опытные образцы DRAM-памяти на 512 Мб, произведенной по новой технологии.

    Новый производственный процесс еще в сентябре был запущен на заводе Infineon в Дрездене. Переход на новую технологию на фабриках компании в Ричмонде (штат Вирджиния) и на совместном предприятии с ProMOS Technologies на Тайване находится на завершающей стадии.

    На данный момент заводы Infineon используют в производстве 200-миллиметровые подложки, но в дальнейшем производство перейдет на 300-миллиметровые подложки, что вместе с 0,14-микронным техпроцессом позволит, по расчетам специалистов, снизить себестоимость готовой продукции на 30 %.
Источник: CNews.ru




© ITware 2000-2004