18 июня 2001 г.

К 2005 г. компания Rambus намерена выпустить модули памяти RDRAM с рабочей частотой 1,2 ГГц и скоростью передачи данных 9,6 ГБ/с.

    В планы Rambus входит поэтапное повышение производительности памяти RDRAM за счет увеличения тактовой частоты чипов и количества каналов обращения к памяти в контроллерах модулей RIMM. Первоначально контроллер будет дополнен еще одним 16-разрядным каналом, что позволит передавать за такт 32 бита данных и увеличить скорость обмена данными до 3,2-4,8 ГБ/с в зависимости от рабочей частоты чипов. Затем общее количество каналов будет увеличено до четырех, благодаря чему при тактовой частоте 1,2 ГГц скорость передачи данных возрастет до 9,6 ГГц. Частота чипов RDRAM также будет повышаться поэтапно: в 2002 г. ее планируется поднять до 1066 МГц. Предполагается, что к этому времени процессоры Intel Pentium 4 будут поддерживать более высокую частоту системной шины, что позволит извлечь преимущества от их работы с новыми модулями памяти.

    16- , 32- и 64-разрядные версии модулей RIMM (нацеленные на различные сегменты рынка памяти) будут выпускаться параллельно. Rambus, по словам ее представителей, ведет постоянную работу с Toshiba, Elpida, Samsung и другими производителями по совершенствованию технологического процесса и удешевлению RDRAM.