3 мая 2001 г.

Компания Samsung Semiconductor представила три новых модуля памяти RDRAM, которыми будут оснащаться сетевые устройства, серверы и ПК старших моделей.

    Каждый из модулей RDRAM, представленных Samsung Semiconductor, оптимизирован для использования с устройствами определенных видов. Модуль RDRAM для высокопроизводительных ПК имеет четыре канала ввода/вывода и позволяет передавать данные со скоростью 6,4 ГБ/с (стандартные одноканальные модули обеспечивают скорость передачи данных 1,6 ГБ/с). Модуль для серверов может оснащаться 32 чипами RDRAM общей емкостью 512 МБ, а вскоре планируется выпустить его 1-гигабайтную версию. Модуль, которым предполагается оснащать сетевые устройства, имеет сравнительно небольшую емкость, однако обеспечивает высокую скорость передачи данных.

    По заявлению представителей Samsung, в первом квартале 2001 г. доля продуктов компании на рынке памяти Rambus DRAM составила 65 %. Прибыли от продаж памяти этого типа позволили Samsung избежать убытков, которые понесли Micron и Hynix, сосредоточившие усилия на выпуске памяти DDR. В планы компании входит увеличение объемов выпуска RDRAM до 8 млн чипов в месяц с тем, чтобы в 2001 г. она могла занять 50 % рынка.